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摩根开发出高纯度、耐腐蚀的氧化铝半导体
摩根开发出高纯度、耐腐蚀的氧化铝半导体
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摘要
美国摩根技术陶瓷公司以99.8%的氧化铝为原料开发出高纯度、耐腐蚀的氧化铝半导体,可用于制造的半导体芯片。其使氧化铝半导化的基本原理是通过严格控制供应,消除游离在晶界二氧化硅。产品良好的抗热震性及高纯度氧化铝能使它能够承受高温及温度的周期性变化。公司计划运用这一技术来开发一些半导体组件。
DOI
lj1e9677dv/600192
作者
机构地区
不详
出处
《现代材料动态》
2008年6期
关键词
半导体芯片
原料开发
氧化铝
耐腐蚀
纯度
技术陶瓷
分类
[一般工业技术][材料科学与工程]
出版日期
2008年06月16日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
现代材料动态
2008年6期
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