简介：

简介：初中物理总复习与平常的课堂教学，在教学教法上的要领都是突出重点，突破难点，激发兴趣，启迪思维。但总复习课还须进行重点知识的辐射和相关知识^点的归纳，形成总复习课教学容量大、头绪多、课时紧的特点。对于教师来说，授课时特别重视条理清楚、

简介：初中物理总复习是物理教学的一个重要环节，通过总复习使学生对初中阶段所学知识形成一个有机整体，并能前后联系，融会贯通。在短时间内要取得好的效果，就必须把零散的、片断的知识条理化、系统化，提高学生运用所学知识解决实际问题的能力。通过几年的探索、总结，浅谈自己的一些策略及方法。

简介：课改实行多年，中考仍是检测教育教学质量重要手段之一，有效的复习备考，方能有效地提高学生的中考成绩，下面笔者就物理中考复习备考谈一些看法．

简介：初三化学总复习是使学生的化学学习产生质的飞跃的重要阶段。其主要任务是帮助学生梳理知识，使之条理化、系统化、结构化；巩固应用知识，学会分析问题，灵活调用自己贮存信息，解决化学问题；

简介：随着九年级新课教学的结束，学生进入了紧张中考前的总复习阶段。如何组织和安排不同类型的学生进行有效复习，使知识内容得以巩固加深，能力水平进一步提高，并在中考中取得理想成绩，是毕业班教师常感头疼的问题。下面就近年来对“中等生”初中物理总复习策略的一些探讨与同行交流。

简介：新课程新中考在六个文考等级科目中，生物、地理学生在八年级就过了关，政治、历史是开卷考，化学只有九年级一年的内容，权衡来权衡去，物理成了学生心目中最“小”的科目。进入九年级下学期总复习后，学生忙于复习语、数、英三“大”科目，要求学生用很多的课后时间来复习物理这个最“小”的科目，

简介：介绍了一种新型总β测量闪烁探测器的原理与结构,对闪烁探测器输出回路脉冲计算公式及其极值进行了推导,利用MATLAB强大的数值计算功能讨论了闪烁探测器输出回路脉冲形状与回路RC时间常数的关系。并初步提出信号甄别的方法。

简介：对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5．92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验，其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E，加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS／SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS／体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0．02-0．80Gy(Si)／s之间，它符合国家军用标准GJB762．2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时，电路所有表征参数在20min内测量结束。

简介：对InPDHBT进行了钴源辐射试验,研究了InPDHBT在不同偏置条件下的电离总剂量效应.使用KeysightB1500半导体参数分析仪,测试了InPDHBT的Gummel和输出I-V参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因.研究表明：将InPDHBT置于不同的偏置条件下,产生数量不同的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷,导致器件的功能失效阈值也不同.

简介：在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术。采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,由下而上检验性能阈值、裕量及其不确定度,最终给出整个FPGA的可信度值,确定了敏感单元电路,并且通过X射线微束总剂量实验对结果进行验证。建立的电路级数值模拟方法为累积电离总剂量效应敏感性预测研究,提供了技术支撑。