简介：对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5．92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验，其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E，加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS／SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS／体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0．02-0．80Gy(Si)／s之间，它符合国家军用标准GJB762．2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时，电路所有表征参数在20min内测量结束。

简介：以CMOS存储单元为研究对象，介绍了仿真在CMOS抗辐射加固集成电路单粒子效应机理及电路抗单粒子加固设计方面的研究进展，讨论了特征尺寸的缩小对单粒子辐射效应的影响，提出了利用交叉隔离和错误猝熄的方法改进传统存储单元的加固性能，并通过试验验证了该方法的有效性。

简介：目的：提出能够反映劣化桥梁承载力的非增特性以及自相关性的承载力衰减新模型,并利用该模型进行结构可靠度分析。创新点：提出描述劣化桥梁承载力衰减的新的随机过程模型,给出利用实测数据进行模型参数拟合的方法,并利用提出的衰减模型对劣化桥梁进行时变可靠度分析。方法：采用Gamma过程描述承载力衰减的随机过程（公式7）,并基于MonteCarlo模拟的方法研究承载力衰减过程的自相关性对可靠度结果的影响。如果将承载力衰减过程假定为完全相关的过程,则会低估结构的失效概率。