简介:为了明确团聚现象及表面性质对ZnS纳米材料发光性质的影响,采用SiO2对ZnS材料进行了表面修饰,并对ZnS及ZnS/SiO2复合材料的光学性质进行对比研究。采用吸收光谱分析了包覆前后光吸收性质的差异,发现SiO2包覆后ZnS纳米材料的带边由333nm红移至360nm。为了研究ZnS纳米材料与ZnS/SiO2纳米复合材料的光发射性质,分别对含纳米材料的水溶液样品及粉末样品的发光光谱进行了采集。对比研究的结果表明,SiO2包覆后ZnS纳米材料在蓝紫光区的发光得到了明显增强。以氙灯作为激发光源所获得荧光光谱显示ZnS/SiO2粉末样品发光的积分强度增大为原来的17.5倍,但相同条件下针对溶液样品的测试结果显示其发光强度只增大了1.1倍,这种增强可用SiO2的存在抑制了ZnS纳米粒子间的团聚来解释,且这一推断由325nm紫外激光激发下获得的光致发光数据进行了验证。
简介:采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.
简介:在计算机辅助工艺设计中,工序图的设计是工艺设计的一个重要组成部分,是否有一个好的工序图的设计环境,直接影响到CAPP系统能否广泛应用。我所CAPP系统已正式应用于科研生产中。该CAPP系统的工序图设计是在AutoCAD下绘制的,在试运行中发现,工序图的绘制还比较繁琐,究其原因有:(1)到现在为止还没有一种商业化的专用工序图设计软件;(2)工艺工序图设计中有一些专用特殊符号(如定位符号、夹紧符号及焊接符号等)特殊的线型以及一些专用的标注符号等,这些符号如让工艺人员在通用的CAD软件中绘制既费时又不规范;(3)由于工序图只是一个示意图,很多图形是可用以前绘制的或别人已绘制好的相似的图形稍作修改即可,然而在全所范围内没有一个集中统一管理的工序图图库以供所有的工艺人员实现资源共享,各自为政,重复劳动较多。为了解决这一问题,需开发一个适合CAPP中工序图设计的专用工序图CAD系统。