简介:摘要静电电荷转移(ElectrostaticDischarge)是发生概率较高的电磁兼容问题,其具有高电位、瞬时大电流特点,对CMOS集成电路、场效应晶体管等敏感性电子元器件具有较大的威胁。因此,本文以ElectrostaticDischarge抗干扰强度测量检验为入手点,从测量检验运行机理、测量检验配置、测量检验气候、测量检验注意事项等方面,分析了ElectrostaticDischarge抗干扰强度测量检验方法。并提出了几点ElectrostaticDischarge预先防控维护措施。
简介:【摘要】 基于 TSMC 0.18um RF CMOS工艺实现了一种用于电荷泵型锁相环的快速入锁结构。锁相环为数模混合电路提供稳定可靠的时钟信号,在上电与跳频过程应当越小越好,并且加速锁定过程不应当影响稳态相位噪声。快速入锁结构包括动态环路带宽单元及预置位反馈环,控制电路均采用全数字电路实现。在工作电源 1.8V情况下锁定时间为 1.12us,较传统结构锁定时间提升了 76.7%;整体相噪在稳态保持 -103.1dBc/Hz @1MHz,较传统结构仅上升了 0.3%。因此,快速入锁方案能够有效降低上电启动以及跳频时的锁定时间。