简介：本文概述了IGBT自发明以来主要的结构改进和相应的性能改进。包括芯片集电结附近（下层）结构改进（透明集电区）、耐压层附近（中层）结构改进（NPT、FS／SPT等）和近表面层（上层）结构改进（沟槽栅结构、注入增强结构等），以及由它们组合成的NPT—IGBT、TrenchIGBT、FS—IGBT、TrenchFS-IGBT、SPT、SPT＋、IEGT、HiGT、CSTBT等。

简介：IGBT是一种新型的电压控制型电力半导体器件，伴随太阳能、风能、汽车电子等新能源时代的到来，IGBT在现代电力电子技术起着核心作用，而IGBT的栅驱动设计是IGBT的应用首要前提，本文研究IGBT栅驱动电压，驱动功率和驱动电阻的设计，以及通过试验证明不同驱动电阻的驱动条件下对IGBT应用的影响。

简介：本文综述了高压IGBT的动态雪崩问题,涉及IGBT动态雪崩的概念、复杂性、失效机理和应对措施等。对这些问题的了解和掌握,对于设计制造坚固性强的高压IGBT是至关重要的。

简介：提出一种新的IGBT闭环变电阻驱动策略来增强开环变电阻策略的实用性,并改善开通/关断特性。该策略通过检测IGBT集电极电流变化率（di/dt）与电压变化率（dv/dt）,对正常开通/关断过程中门极电阻的切换进行闭环控制,在保证IGBT安全工作、防止产生较大电磁干扰的前提下,加快IGBT开关速度并减小开关损耗。最后通过仿真验证了该策略的可行性。

简介：本文给出了高压IGBT电压源逆变器的不同短路类型。综述了当前已知的几种短路类型（类型1，类型2，零电流类型2和类型3），并研究了IGBT在断开状态时的一种新的短路类型3情况。这种类型的短路发生在逆变器的空白时间内。通过对4．5千伏的IGBT实验，给出了所有的短路电流类型，其中也包括门极的di／dt反馈影响。

简介：本文分三个专题，介绍了IEEE第15届国际功率半导体器件和集成电路研讨会(SPSD’03)上有关IGBT的第二部分文章，供专业人士参考。

简介：介绍了大功率IGBT模块的新概念，以及为实现小型化和高可靠系统时大功率应用的栅驱动技术。采用新型模块，可使体积和重量大约减小50％。使用通常的栅驱动方法驱动新型模块，也能简化设计并得到大功率电子系统。IGBT芯片的正面采用了沟槽栅结构，背面采用了电场截止层结构。未选择栅沟槽的FSIGBT芯片，其电流的不均衡率是10％或更小。采用通常的栅驱动单元有可能均衡与栅驱动单元并联的IGBT的开关波形。这些技术将使大容量的应用变得容易。

简介：IGBT有源电压控制技术（ActiveVoltageControl，简称AVC），是在IGBT控制过程中引入多重闭环反馈，使IGBT开通和关断过程中集电极一发射极电压VCB的轨迹始终跟随预先设定的参考信号，实现高压应用时GBT器件直接串联的同步工作和有效均压。本文介绍了有源电压控制技术的基本概念，串联IGBT的实验波形和相应的损耗计算。

简介：由于导通及开关损耗小以及易于使用等优点，IGBT在电力电子系统中得到越来越广泛的应用。在设计电路之前，需要精确的器件模型及模型参数对电路进行仿真。本文提出一种基于实验测量、仿真及优化算法的IGBT模型参数辨识方法。以BUP302为例，给出了静态参数及动态参数的结果。在参数辨识的基础上，文中还提出了模型参数有效性验证的方法，最后给出了有效性验证结果。

简介：IGBT驱动模块对IGBT的功耗和可靠性会产生重要影响，对大功率IGBT驱动模块的技术特点作了详细的分析，列出了设计的关键点，并介绍了大功率IGBT驱动模块的技术发展趋势。

简介：Epcos公司进一步拓展了用于IGBT的系列缓冲电容器产品。日前该系列产品的电压范围已扩展到850到2000VDC，而电容值范围也扩展到47nF到2．5μF。

简介：近年来IGBT模块技术进步扩展了IGBT应用范围，进入了诸如轨道牵引、HDVC和包括智能电网系统的电能质量等真正的大功率领域。本文着重IGBT技术及其在欧盟UNIFLEX-PM（未来电网通用灵活电能管理先进功率变流器）项目应用情况。

简介：本文对传动装置IGBT元件自损坏产生的后果、各种检测原理等内容进行了分析说明。重点介绍了一种快速检测IGBT元件自损坏的方法,该方法已在传动装置中得到实际应用。

简介：最近几年，分立的IGBT已在不同的领域广泛应用，诸如传动用逆变器、电感性加热、焊接、太阳能发电用逆变器和UPS。这螳应用装置在某些方面仍有本质上的不同要求，需要应用优化的专用器件。本文闸述第三代1200V高速器件（“HS3”产品系列），它是专为焊接，太阳能发电逆变器和UPS等高频应用设计的。这些应用的肌型工作频率范围是20k～0kHz，要求开关损耗低于典型的传动应用的损耗，后者在10kHz甚至在更低范围中应媚。但是，饱和电压VCE,sat在整个损耗中仍起重要的作用，为此要找到开关损耗和传导损耗之间良好的平衡。文中提供了新产品的特性并和市场上的其他产品系列做了比较。这些新产品的效益在特定装置的应用中获得了验证。

简介：IGBT是一种新型的功率器件，经过几代重大技术改革，已成为功率器件家族中应用最广泛的成员之一，除了巩固1000V-2000V领域的成功应用继续向更大功率的方向发展外，还在开拓300V-600V范围的应用。本文从研发和生产的角度，阐述IGBT在器件结构优化、工艺制造、器件封装、可靠性方面的最新进展、存在的问题和可能的解决途径。

简介：Powerex公司的新型高压IC（HVIC）利用其BiCMOS结隔离设计，为驱动马达驱动、镇流器、电源和等离子显示器等设备的MOSFET和IGBT提供600V和1，200V的电平平移和浮点逻辑电路。

简介：SEMiX13是六管封装IGBT模块，它和SEMiX3标准IGBT半桥模块具有相同的设计原理，该原理已经得到良好的验证。SEMiX13具备和SEMiX产品平台良好的向下兼容性。

简介：研发了3.3kV高速IGBT模块。优化寿命控制极大降低了关断损耗和恢复损耗。该高速特性适用于双向和中频应用,例如谐振DC/DC转换器。展示了谐振DC/DC转换器模拟电路中IGBT的开关行为和二极管的反向恢复行为。显然,这种新设计的模块具有比传统高速模块更低的损耗,因此更适合与双向和中频应用。该设计概念也可用于6.5kVIGBT模块设计。另外,对谐振DC/DC转换器模拟电路,将新设计模块中二极管的损耗与3kV-SiC-JBS损耗做了比较。

简介：本文针对EXB841经典IGBT驱动电路存在的不足：过流保护阈值过高、存在虚假过流、负偏压不足，过流无保护自锁及无报警电路。因此，提出一款新型的IGBT模块驱动器TX—K841L，它延迟时间小，工作频率高，驱动能力强，可直接代换EXB841。通过实验测试其在逐波过流和连续过流时（实行软关断，PWM信号封锁）的情况，进一步验证了此驱动器的控制器端可靠而且稳定。而且它还可根据用户需要设定IGBT的短路阈值电压、保护盲区时间、软关断斜率，以及提供了故障反馈保护的接口，使产品的适用性得到极大提高，已经在逆变器、不问断电源、电焊机、伺服系统、轨道交通等领域获得了广泛的应用。

简介：如今，对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂，特别是在高压大电流领域，这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范嘲内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了专门优化，以便适应不同种类的IGBT，其应用范围可以达到150A-3600A，1200V-6500V，并且可以为用户的专门用途进行预置。