简介:《专家点评》是"电力电子"杂志的重要特色栏目之一。我们将邀请电力电子行业中的知名专家,分别就运动控制、变换电源和电力电子元器件等电力电子主要分支中的某篇关键论文发表点评文章,进行导读,每期一篇。这些论文均由专家推荐,其内容基本上属两大范畴——[前沿]和[经典]。[前沿]介绍当今或今后国际上电力电子技术正在或将要开拓的热点课题,已经取得的成果,尚存的困难与问题,以及最新进展情况和文献。[经典]则是把世界上电力电子技术发展进程中称得上是里程碑式的技术精典论文予以重载,由专家分析这篇论文的主要贡献、对行业发展所起的作用、作者生平简介等。在专家点评文章的后面,我们以附录形式刊出被点评论文的详细译文摘要,以飨读者。希望本栏目能为国内从事电力电子研究、开发、生产、经营、推广的同行朋友,特别是年青科技人员了解前沿动向,了解专业历史提供方便。欢迎读者提出感兴趣的题目,推荐相关论文,以至提供自己的点评文章,我们亦将择优发表,与电力电子领域的同仁共享。《电力电子》编辑部
简介:介绍了当前3G成熟的CDMA技术和未来4G的核心技术OFDM的基本原理和各自优缺点,分析了CDMA和OFDM两种不同技术的应用侧重,同时指出了两种技术融合的前景及前沿拓展。
简介:本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET(结型场效应晶体管)和1200VSiCBJT(双极结型晶体管)作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A~7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。