简介:ONSemiconductor公司宣称已采用一种崭新的沟槽工艺技术,它比其他沟槽工艺,能使导通电阻平均降低40%。去年,该公司已将基于创新的沟槽技术用于P沟和N沟MOSFET,并且这种器件已应用于负载管理、电路充电、电池保护和手提式、无线产品中的DC-DC
简介:出两个完全相同的独立的buck—boost斩波器,输入并联,输出串联构戚一个DC/AC逆变器,该逆变器实现了单级功率变换,双向功率流,与传统的两级式逆变器相比,具有拓扑结构简单,同时工作的开关元件少,功率密度大,变换效率高等优点。但由于两个斩波器的输出电压要求在较宽范围内变动,故其控制方法和单独的buck-boost斩渡器有所不同,本文对该电路的工作原理和控制方法进行了详细的分析,针对输出电压范围宽的特点,提出了改进的电流控制法,该控制方法采用附加扰动补偿的前馈控制和反馈控制相结合,使两个斩波器的输出电压和逆变器的输出电压都能得到准确的控制,对外界变化能作出快速准确地反应,提高了逆变器对输入电压和负载变化的响应能力。