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  • 简介:积层多层板结构借助于铜充填实现生产高密度互连结构。通过选择添加剂以达到充填孔工艺目的。例如在电镀铜槽液中添加SPS(Bis(3-磺酸丙基)disulfidedisodium)为光亮剂、JSB(JanesgreenB)为整平剂PEG(聚乙二醇)聚合物。但是,这些添加刺随着电镀时间消耗或分解充填能力减弱。因此,添加剂消耗或分解评价电化学分析来观察其充填能力电化学解析结果,快速的确定SPS通过沿用评价添加剂添加方法,添加剂JGB、PEG最具有耐久性。

  • 标签: 充填 添加剂 电镀 充填能力
  • 简介:参与26年PCIM(功率变换与运动智能控制)会议,离开之前,我(1994-2004年欧洲PCIM会议董事长编者)愿意与大家共享我最后篇文章,它是关于对PCIM个领域认识:功率变换,运动智能控制,电能质量能源管理,还有未来趋势。

  • 标签: 未来趋势 功率系统 功率电子 现状 智能控制 功率变换
  • 简介:通过自身5年艰苦努力,元盛电子已从个年销售额仅几百万元小公司成长为年销售额达2亿元、利税达3000万元在国内FPC(柔性电路板)行业领先高新技术企业。公司自主科技创新工作取得较大成绩,先后承担部省市科研项目14项,获得授权发明专利5项、实用新型专利3项。总结元盛电子取得定成绩原因,公司长期注重企业自主科技创新、长期坚持与高校产学研合作并将两者有效地结合公司技术进步主要动力。

  • 标签: 产学研合作 FPC 创新能力 高校 高新技术企业 实用新型专利
  • 简介:本文二极管箝位型电平逆变器基本结构出发,分析其输出状态,推导出六角形空间电压矢量图。然后从种改进,可以减小开关损耗,避免高dv/dt电平空间矢量PWM调制策略出发,建立了基于Matlab详细仿真方案,验证方案可行性。文章给出了扇区判断算法流程图,脉冲生成模块内部结构图,其中扇区判断算法脉冲生成方法对于用DSP实现电平SVPWM具有重要参考价值。

  • 标签: 三电平逆变器 空间矢量PWM 开关损耗
  • 简介:在新代IGBT驱动核SKYPER中,体现“少即是精”理念,该驱动电路具备驱动IGBT模块所必需最基本功能。这种可靠驱动核,经过在成本功能方面的优化后,可以在不同应用领域适用于不同品牌、不同封装IGBT,并且适用于焊接插接。

  • 标签: IGBT模块 驱动电路 即插即用 品牌 封装
  • 简介:2011年1月11日,美国最大移动运营商Verizon公布CDMA版iPhone4。其实,自从2007年6月上市以来,iPhone保持良好销售势头,截至今年3月份累计销售数量已经突破了1亿部。联手Verizon推出CDMA版iPhone销售战略可以看出Apple旨在进一扩大市场用意。

  • 标签: IPHONE CDMA 移动运营商 销售
  • 简介:目前,我国国内从事电接插元件生产企业约有800余家,部属研究所1个,从业人员11万余人,固定资产超过25亿元。据电接插元件行业协会对140家企业调查显示,97年全行业生产现价总产值为54.75亿元(人民币,下同),销售收入51.38亿元,利润总额1.0亿元,实现税金2.28亿元。97年产品总产量为31.32亿只(为1980年1.5亿只20余倍),销售

  • 标签: 中国 接插件产业 电子产业
  • 简介:本文介绍采用Soft-Skip开关模式以降低电源待机功耗原理。这种待机状态下开关模式可以有效降低因开关频率过低产生音频噪声,并且可以对进入Soft-Skip模式电平进行调整以适应不同负载需求。最后,试制台输出为12V/5A激电源对这种待机模式进行验证。

  • 标签: 待机噪声 Soft-skip模式 反激变换器
  • 简介:介绍高压大功率双PWM电平变频器,其在PWM整流侧采用虚拟磁链直接功率控制,减少了交流侧电压传感器数量系统成本,提高了系统动态响应与抗干扰能力。PWM逆变侧采用基于转子磁链定向矢量控制。仿真结果表明本系统有良好性能。

  • 标签: 三电平 双PWM变频器 虚拟磁链
  • 简介:本文叙述项名为"用于有源设备中电子元器件(EfA)"合作研究项目的些研究成果。采用内燃机冷却线路对功率电子设备进行冷却,内燃机温度能达到105℃(最恶劣情况能达到125℃)。所以,功率器件必须能经受住高达200℃高温。挑战性主要指标功率循环能力。随着封装工艺改进,这个目标能够实现。采用系统功率循环试验激发各种失效模式,并评估所采取改进措施效果。已发现,当采用新内互连工艺,功率循环寿命能提高100倍之多。

  • 标签: 内燃机 系统功率循环 功率器件
  • 简介:在DC-DC变换器或AC-DC电源附近,寄生电磁能量会污染周边环境,它们传播有两种途径:①通过流经互连线高频噪音电流,称传导发射;

  • 标签: 侧抑制 变换器侧 抑制电磁干扰
  • 简介:VME总线为单处理器多处理器8位、16位、32位64位并行传输计算机体系建立了规范框架,成为机载计算机首选高性能总线。简要介绍VME总线主要特征,给出使用复杂可编程逻辑器件(CPLD)设计VME总线控制器逻辑方法,在各类功能模块通讯接口设计中具有典型性实用性。

  • 标签: VME总线 菊花链 复杂可编程逻辑器件
  • 简介:据本地行业分析公司NanoMarkets发布篇新报告显示,未来八年内,导电银油墨市场将扩大近两倍,2015年实现24亿美元。2007年,NanoMarkets发布其第项导电银油墨市场分析,并赢得了广泛关注。新报告对第篇报告延续。有关2008年报告更多详情,可在www.nanomarkets.net上查询。

  • 标签: 油墨市场 电银 行业分析 市场分析 WWW
  • 简介:评述30年前第批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管晶闸管报道。由此介绍硅材料中子嬗变掺杂技术原理、发展进程,指出NTD硅实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展个重要突破口。

  • 标签: 中子嬗变掺杂硅 无条纹硅 电力半导体器件 高电压 大电流
  • 简介:1:印刷导线宽度选择依据:印刷导线最小宽度与流过导线电流大小有关:线宽太小,刚印刷导线电阻大,线上电压降也就大,影响电路性能,线宽太宽,则布线密度不高,板面积增加,除了增加成本外,也不利于小型化。

  • 标签: PCB 导线宽度 工艺 选择依据 最小宽度 导线电阻
  • 简介:PWMDC/DC转换器设计中,为了防止出现次谐波振荡,需要引入斜坡补偿电路,而传统斜坡补偿电路通常在加法器处会引入附加内部反馈环路。这会极大地限制系统带宽。文中提出了种简单结构来实现峰值电流模式斜坡补偿。这样可以减小斜坡补偿中加法器对系统带宽限制,从而可以提高系统稳定性,使转换器有更高开关频率。仿真结果表明.这种方法能实现电压信号准确地相加。

  • 标签: 峰值电流模式 斜坡补偿 加法器