简介：经过近两年的努力，在广东省政府企业技术改造项目的资助下、在广东粤晶高科有限公司和华越微电子有限公司的协助下，浙大微电子目前成功研发了广泛应用于电机调速、逆变器、开关电源、电子开关、汽车电器、PDP等整机产品配套的500V／18A高压功率VDMOS器件，并且拥有自主知识产权。

简介：联华电子与数字电视解调器芯片设计公司高拓讯达（AltoBeam）近El共同宣布，高拓讯达推出了DVB—T2／T／C／S2／S解调器，以适应采用这些标准的数字电视市场需求。ATBM7812采用联华电子12寸URAM嵌入式内存技术专利，具备了更高的效能与更小的芯片尺寸。

简介：本文详细讨论了VDMOS终端保护环结构各部分，即保护环、保护环间隙和场板的作用及设计方法。结合600VVDMOS的外延电阻率和厚度，一种600VVDMOS终端保护环结构被成功设计出来。

简介：中国移动研究院，中国移动全资子公司中移物联网有限公司和高通公司子公司QualcommTech-nologies公司日前正式发布了基于高通9150C-V2X芯片组解决方案的全新符合3GPPRelease14LTE-V2X直接通信的路侧单元。

简介：本文研究了数字电视地面广播(DVB-T)系统中的采样同步算法,利用符号间插入的导频点估计采样时钟偏差,利用凯塞窗函数插值滤波器进行数据的纠正,设计基于FPGA(现场可编程门阵列)实现,经仿真验证可完全达到DVB-T系统的设计要求.

简介：本文给出了利用0．18umCMOS工艺设计的5．2GHz低噪声放大器。在1．8V电压下，工作电流为24mA增益为15．8dB噪声系数为1．4dB.

简介：英飞凌科技股份公司近日推出旨在提升系统效率同时兼顾易于使用的最新600VCoolMOSTMP6产品系列。该产品系列弥合了专注于提供极致性能的技术（CoolMOSTMCp）与强调易于使用的技术（如C00lMOSnIC6或E6）之间的鸿沟。

简介：华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（华润上华）近日宣布其第三代超高压700VBCD系列工艺开放代工平台开发成功。该工艺平台自华润上华第二代硅基700VBCD工艺基础上自主开发而来。通过工艺技术的持续改进，该工艺不仅控制电路部分的设计规则比第二代硅基700VBCD工艺缩小15％，

简介：Qorvo^（R），Inc．（Qorvo）近日宣布，公司的多传感器和通用开关特性荣获ZigBee^（R）GreenPowerv1．1认证。这些新特性极大地扩展了可通过能量采集供电的智能家居传感器类型，从此告别电池，也无需追求超长电池寿命。

简介：覆铜板的无卤化发展迅速,无卤覆铜板已成为主流的覆铜板产品。文章制备了一种无卤高T_g中损耗覆铜板,该材料有优异的耐热性,T_g（DSC）〉180℃,T_g（DMA）〉190℃,T_d（5%loss）〉390℃;并具有优异的粘结性能、优异的加工性能和较低的CTE。

简介：凌力尔特公司（LinearTechnologyCorporation）推出高输入电压隔离型反激式DC／DC控制器LT3748H，在结温高达150°C工作时有保证。该器件极大地简化了隔离式DC／DC转换器的设计，因为输出电压是从主端反激信号中检测到的，所以无需光隔离器．第三绕组或信号变压器来实现反馈。