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  • 简介:Cymer宣布全球首款场选择60W-90W沉浸式光源——XLR600ix已集成至Nikon扫描光刻机,并成功在一家大型亚洲芯片商中投入使用。该里程碑标致着此类光源得到了主流芯片商的采用,并表明芯片商对于CymerXLR平台的认可。

  • 标签: 沉浸式 芯片 光源 亚洲 NIKON 光刻机
  • 简介:文章尝试了采用真空二流体蚀刻试做35μm/35μm线路的可行性。经过实验证明:采用DES工艺&搭配合适的蚀刻设备,如真空二流体蚀刻机,可以把细线路制作等级提升到35μm/35μm;能获得大于3的蚀刻因子,局部区域的蚀刻因子更是高达14.99-11.82。此外,3μm铜箔可以获得集中度更高的线宽&更高的蚀刻因子。

  • 标签: 细线路 真空二流体蚀刻
  • 简介:简要说明多层板去环氧腻污和凹蚀的重要性,比较几种去环氧腻污的优缺点。根据试验,确定浓硫酸凹蚀10μm-20μm的工艺,从而满足客户要求。

  • 标签: 试验 生产 正凹蚀 多层板
  • 简介:随着晶片封装技术的不断发展,要求基板线路的精细度越来越高,50μm/50μm以下的COF(ChiponFlex)精细线路将成为未来发展的主流,但精细线路的制作一直是FPC生产上的难点,当线路在50μm/50μm以下时,成品率较低难以满足量产化的要求。本文中以公司的现有设备为基础,通过传统片式生产线,选用12μm铜箔作为基材、15μm干膜作为抗蚀层,使用玻璃菲林进行图形转移,同时通过表面处理、改变曝光、显影和蚀刻参数等,对30μm/25μm的精细线路进行研制,并通过金相切片测试仪、三次元测试仪、AOI(AutomaticOpticalInspector)等对产品进行检查。结果显示,线宽、蚀刻系数和成品率都能达到小批量生产的要求。

  • 标签: COF 片式制作 精细线路 表面处理
  • 简介:AMD日前发布了RadeonR3系列固态硬盘,首次采用TLC闪存,而原来定位主流的RadeonR7系列却直接下架了。

  • 标签: AMD SSD TLC 硬盘 闪存
  • 简介:文章主要针对一种厚孔铜(≥60μm)产品的制作工艺进行研究,如何在将孔铜控制至≥60μm以上,而电镀面铜能有效控制在60μm以下,并进行顺利制作出精细线路。本次主要采用了全板加成、局部加成、全板加成+局部加成三种工艺分别进行试验测试评估,最终采用全板加成+局部加成相结合的工艺方法最佳,产品质量及可靠性均符合产品要求。

  • 标签: 厚孔铜 面铜厚度 电镀 精细线路 全板加成 局部加成
  • 简介:本文详细讨论了VDMOS终端保护环结构各部分,即保护环、保护环间隙和场板的作用及设计方法。结合600VVDMOS的外延电阻率和厚度,一种600VVDMOS终端保护环结构被成功设计出来。

  • 标签: 保护环 保护环间隙和场板
  • 简介:<正>艺精YZB-600Ⅰ型自动大功率曝光机近两年已有几十台推向用户,为了使设备能在行业中特别是各个用户手里充分发挥作用,保证设备的高效产出,现特介绍设备常用的保养方法,供用户参考。1要科学的使用设备任何设备及电器产品,不正当的操作必将加快功能的失效。曝光机也不例外。在使用设备前一定要仔细的阅读《使用说明书》,工艺人员更应探索一条高效使用设备的工艺操作方法,即保证工艺操作的正确性,又能不损伤设备的

  • 标签: 大功率曝光机 艺精YZB-600I 维护
  • 简介:普通曝光黑片(银盐片)尺寸稳定性随存放环境温湿度的变化影响较大,而铬版玻璃底片作为图形转移载体,其尺寸稳定性基本不受温湿度变化影响,对制作精细线路具有明显优势。文章主要介绍玻璃底片在未来PCB和FPC精细线路中的应用前景及制作25μm线宽关键点。

  • 标签: 铬版 玻璃底片 银盐片 图形转移
  • 简介:英飞凌科技股份公司近日推出旨在提升系统效率同时兼顾易于使用的最新600VCoolMOSTMP6产品系列。该产品系列弥合了专注于提供极致性能的技术(CoolMOSTMCp)与强调易于使用的技术(如C00lMOSnIC6或E6)之间的鸿沟。

  • 标签: 品系 产品 提升系统 股份公司 技术
  • 简介:2012年采用MIPI的集成电路出货量大约为30亿块,但其中只有1亿块基于高性能、低功率的M—PHY规范在未来几年中,这种情况必定会改观,因为M—PHY将用于开发高端移动设备,提供更高性能、高效功率管理方案、有效抗击RF干扰及实现低RF辐射

  • 标签: 移动性能 PHY 物理层 测试 创新 RF干扰
  • 简介:本文中介绍了一种速率为1.25Gbit/s的激光二极管驱动器的设计。为了保持工作中的稳定平均输出功率和恒定消光比,采用了温度补偿电路和自动功率控制电路。介绍了调制主通道的结构和其他功能模块的结构和实现原理,并介绍了部分电路和仿真结果。芯片采用0.35μmBiCMOS工艺实现.实测结果表明在+3.3V供电电压,1.25Gbit/s速率下,电路输出眼图清晰,可以提供5~85mA调制电流。可以满足光纤通信系统和快速以太网的应用。

  • 标签: 激光驱动器 自动温度补偿 自动功率控制
  • 简介:和舰科技(苏州)有限公司与全球领先的非挥发性记忆体设计公司常忆科技近日共同宣布,已成功开发拥有更高的耐久力和更小的记忆体面积等优点的0.18μm浮动闸嵌入式闪存记忆体技术。通过与常忆科技的密切合作,和舰完成了此项非挥发性记忆体工艺的开发和品质验证,同时开发了不同存储密度的闪存记忆体并达成高良率目标。

  • 标签: 和舰科技 记忆体技术 嵌入式闪存 工艺开发
  • 简介:10月19日,广东省环境保护厅发布《旗利得电子(东莞)有限公司改扩建项目环境影影响报告受理公告》.旗利得电子(东莞)有限公司拟在现有厂房内新增部分设备和生产线,新增线路板生产能力24万平方米/年,从而使全厂线路板总生产能力达到平方米/年(其中双面板65平方米/年、多层板43平方米/年)。

  • 标签: 生产能力 线路板 受理 PCB 环境保护厅 环评
  • 简介:GigaDevice(兆易创新)与ARM合作,宣布推出基于ARMCortex-M4内核的GD32F450系列高性能微控制器,并以200MHz的工作主频将ARMCortex-M4内核的处理能力发挥到极致。作为GD32MCU家族基于Cortex-M4内核的首个旗舰产品系列,GD32F450系列MCU采用了业界领先的55nm低功耗工艺制程,整合了强大的运算效能和出色的功耗效率,并集成了更多的片上资源和接口外设,从而为工业控制、电机变频、图形显示、安防监控、传感器网络、无人机、机器人、物联网等市场应用带来创新的开发体验。

  • 标签: 运算效能 MCU 内核 创新 性能 传感器网络
  • 简介:瑞萨电子株式会社日前推出的R—CarV3M入门套件可以简化并加速开发新车评估项目(NCAP)的前置摄像头应用、环视系统和激光雷达。新入门套件以R—CarV3M图像识别SoC为基础,为日益增长的NCAP前置摄像头市场提供兼顾低功耗和高性能的方案。通过将R—CarV3M入门套件与支持软件和工具相结合,系统开发人员可轻松开发前置摄像头应用,从而有助于减少开发工作量、缩短产品上市时间。

  • 标签: NCAP 上市时间 摄像头 入门级 开发 前置