简介：使用喷墨打印技术制得了高质量的导电银电极，并制备了高性能的有机晶体管器件与简单电路。经优化的喷墨银电极表面形貌光滑、一致性好、电导率高。通过限制墨滴在打印基底上的浸润能力，可以有效减小电极间的沟道长度。基于这种高质量打印银线的短沟道有机晶体管和简单“非”门电路均展示出了很好的电学性能。

简介：Diodes公司推出ZXTR2000系列高压稳压器，把晶体管、Zener二极管及电阻器集成到一个标准SOT89封装，通过减少器件数量和占位面积，提升电路的功率密度。这些器件主要用于网络、电信和以太网供电（PoE）应用，可以有效地为48V直流一直流电源的变压器初级端控制器调节电压。

简介：随着半导体器件特征尺寸的不断缩小,器件之间的隔离区域也随之要进行相应的缩小。在0.35μm以上的集成电路制造工艺中应用最广泛的隔离技术是LOCOS(localoxideisolate)技术。该工艺虽然发展历史比较悠久、工艺也比较成熟,但是由于采用了场氧化工艺,所以氧化膜的深度以及由于氧化而在场区边缘的有源区域上产生的鸟嘴效应都限制了这一技术的进一步应用。而浅沟槽隔离(STI:shallow

简介：在近日召开的IEEE国际电子设备会议上，IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果，这将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。

简介：TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W（CW）射频输出功率。

简介：MOSFET是大多数开关电源（SMPS）中晶体管的选择。MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率。为了在功率应用中选择最好的开关，本文对优化后的P沟道和N沟道MOSFET进行了比较。

简介：SPMTM（智能功率模块）产品的大量涌现及其带来的成本效益潜力，使我们有理由重新审视低功耗驱动应用中SPM与传统分立功率器件之优、缺点的比较。今天，家用及商用电器之类的高产量电器制造商已经将SPM应用到洗衣机、电冰箱等电器中。这是一个强烈的信号，表明智能功率模块能够满足这些高产量家电制造业的成本和可靠性要求，并具有革新驱动电路产业的潜力。采用高度自动化的环氧模塑接线框构造，并结合使用诸如DBC（直接敷铜）之类的现代绝缘材料技术，已经生产出能处理1A-75A驱动电流的600VDIP（单列直插）和SIP（双列直插）SPM。

简介：本文介绍了半导体器件热阻的基本概念，讨论了稳态热阻和瞬态热阻的差别，并重点论述了瞬态热阻的测试原理和方法，说明了瞬态热阻测试的技术难点，还对瞬态热阻的测试条件与合格判据的设定提出原则性建议。

简介：由于更多的因素,先进的表面安装技术(SMT)要求采用比热风整平(HASL)得到的更好平整度的焊盘和更精细间距导体,才能满足需要。这种平整度技术应当不牺牲锡/铅使用期限和可焊性的一些特性为代价。经过很多的研究,包括有机涂层、浸镀锡,在铜上化学镀镍或镀金,但最广泛采用的一种过程是在化学镀镍8～10μm

简介：功率半导体器件和电力电子世界上最早的半导体器件是整流器和晶体管,当时并没有功率半导体或微电子半导体之分。1958年,我国开始了第一个晶闸管研究课题(当初称为PNPN器件)。在大致相似的时间里,集成电路的研究也逐步开始。从此半导体器件向两个方向发展。前者

简介：罗姆从2012年3月开始量产在晶体管和二极管中都采用SiC的“全SiC”功率模块。据该公司介绍，全SiC功率模块的量产尚属“全球首次”。

简介：国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）日前宣布其数字功率解决方案已经开始为全球顶尖主机板与显示卡制造商技嘉的所有全新三路数字X79主机板供电。IR的数字功率解决方案采用基于图形使用者接口（GUI）的VR设计，可提供快速、实时的调校功能，并能实现系统级优化。

简介：<正>艺精YZB-600Ⅰ型自动大功率曝光机近两年已有几十台推向用户,为了使设备能在行业中特别是各个用户手里充分发挥作用,保证设备的高效产出,现特介绍设备常用的保养方法,供用户参考。1要科学的使用设备任何设备及电器产品,不正当的操作必将加快功能的失效。曝光机也不例外。在使用设备前一定要仔细的阅读《使用说明书》,工艺人员更应探索一条高效使用设备的工艺操作方法,即保证工艺操作的正确性,又能不损伤设备的

简介：对于任何人来说，数字电源系统管理（DPSM）在通信和计算机行业内的持续采用，在很大程度上继续由位于其系统架构核心的20nm以下ASIC和／或FPGA所需之高电流水平驱动都是不足为奇的。

简介：碳纳米管和石墨烯等新型碳纳米材料具有优异的电学、光学和力学特性，在柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。从碳纳米材料的制备和器件的构建角度出发，本文介绍了基于碳纳米管和石墨烯的薄膜晶体管器件的最新研究进展。我们将已有碳基薄膜晶体管器件的构建方法分为固相法、液相法和气相法三类，重点讨论和比较了不同方法的技术特点和发展潜力，指出了碳纳米管和石墨烯材料在柔性电子器件领域中可能的实际应用前景和趋势展望。

简介：美高森美公司（MierosemiCorporation）推出用于IEEE802．11ac（亦称作第五代Wi—Fi）无线接入点和媒体设备的5GHz功率放大器LX5509。LX5509是首个能够同时在IEEE802．1in和IEEE802．11ac网络中以相似功率水平进行传输的商业供货功率放大器产品，通过扩大高数据速率范围来实现最佳系统性能。

简介：经过近两年的努力，在广东省政府企业技术改造项目的资助下、在广东粤晶高科有限公司和华越微电子有限公司的协助下，浙大微电子目前成功研发了广泛应用于电机调速、逆变器、开关电源、电子开关、汽车电器、PDP等整机产品配套的500V／18A高压功率VDMOS器件，并且拥有自主知识产权。

简介：本文就运用于某型号雷达中，微波多层印制电路板制造用原材料的泰康利公司高频介质材料TSM—DS3，进行了性能及特点介绍。在此基础上，对选用此类高频介质基板材料及半固化片FastRise-28，制造一种微波电路板的先进工艺技术、以及质量管控技术，进行了较为详细的介绍。最后，还针对此次高频多层印制板制造过程中的关键工艺技术进行了较为详细的阐述，其中包括有TSM—DS3高频材料的多层化实现技术、TSM—DS3—500HM高频电阻材料的平面电阻阻值控制技术、TSM—DS3高频材料的变形控制技术、TSM—DS3高频材料多层板孔金属化互连实现的背钻深度控制技术，以及TSM—DS3高频材料多层印制板局部外形侧壁金属化技术等。

简介：6月4日，欧盟官方公报（OJ）发布RoHS2．0（修订指令（EU）2015／863，正式将DEHP、BBP、DBP、DIBP列入附录II限制物质清单中，至此附录II共有十项强制管控物质。

简介：中京电在上半年实现营业收入7.22亿元,较上年同比增长40.97%;实现归属于母公司所有者净利润4077.89万元,较上年同比增长627.78%。根据公告,公司依托在LED显示、安防工控等细分市场的产品优势,进一步挖掘与细分市场龙头企业客户的深度合作,报告期内,LED显示产品订单量较上年同期增长约140%。