简介：文章对清管器的结构、性能、应用特点进行了全面分析,并对它在输水管、输油管及工业管线清洗中的应用情况做了具体介绍

简介：

简介：首先,分析了智能技术快速发展对战争面貌的深刻影响、智能化无人作战系统对传统作战样式的变革以及复杂多元涉空作战行动对空战场的重构作用;其次,从空域态势感知、战场空域规划、决策控制和安全风险等方面研究了智能化战争形态下战场空域管控面临的严峻挑战;最后,从战场空域管控模式重构、智能化战场空域规划、实时自主协同与智能决策以及“制智权”夺取等方面阐述了智能化战争战场空域管控工作,为我军开展智能化战争形态下战场空域管控指明了发展方向。

简介：薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史，描述了薄膜晶体管的工作原理，分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展，并展望了薄膜晶体管的应用。

简介：太赫兹回旋管一种具有重要发展前景的高功率太赫兹源。简要介绍了回旋管的结构和基本原理，并且评述了国内外太赫兹回旋管的发展状况和趋势；同时指出了太赫兹回旋管发展中存在的关键问题及一些建议。

简介：发光二极管(LED)具有非常广泛的用途,光子晶体(PC)是一种新概念和新材料,采用PC的LED则大大提高了光输出效率,是一种很有发展前途的LED器件,已成为目前国内外研究的热点.本文介绍了PCLED的基本原理、结构、重要特性参数及其典型器件.

简介：通过微波调谐器、匹配线和器件特性的了解可以帮助设计人员更好地了解RF和微波晶体管。

简介：太赫兹频谱有很多优越特性,在生物医疗、安全检查及军事领域中具有重要的应用前景。太赫兹源是太赫兹波领域研究中的关键技术,制约着太赫兹技术的发展。从介绍太赫兹源的研究与发展动态出发,阐述了雪崩渡越时间二极管(IMPATT)器件的工作机理、等效分析模型及注锁牵引稳频振荡理论,给出了几种基于IMPATT管获取电子学固态太赫兹源的方法。

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简介：摘要煤是中国的主要能源。国有煤矿是中国煤炭生产的主体。由于国家宏观政策和煤炭企业的特殊性，煤炭企业的生产成本不断提高。加强成本管理、降低成本是企业提高经济效益、增强市场竞争力的重要手段。目前，煤矿企业主要控制生产成本控制，而忽视了煤矿劳动力成本的控制。通过人力资源管理降低劳动力成本是国有煤矿降低企业成本、提高经济效益的重要途径。

简介：<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现

简介：学者冯军认为，片面的行政立法对网络发展可能产生阻碍作用，全国人大应尽快把制定一部系统的网络法纳入议事日程

简介：企业管理已由管理发展到管控阶段,信息化发展是一个重要的管控模式。为了构建企业信息化管控体系,以管理理论和思想为基础,分析了其5大构成要素,同时构建了该体系的框架。最后通过某企业的管控体系构建案例,证实了该体系框架的可行性。

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简介：通过分析"抚顺-营口"管线漏磁腐蚀检测器的模拟器卡堵的原因,提出采用磁力清管器的解决方案,清洗干净了整条管线,解决了管道中由于铁磁物质造成的清管器卡堵的问题.

简介：信息战已成为现代战争的主要特点,而要赢得信息战,在很大程度上取决于对战场信息的有效管理与控制。基于信息化战场的需求,考虑了战场信息海量、多元、复杂、动态、异构、移动等特点,以及信息交互的精确性、实时性、可靠性和安全性要求,从信息感知、信息访问、信息传送控制和支撑服务四个方面,对实现战场信息有效管控的关键技术进行了探讨,并结合实际工作提出了相应的解决措施和实践思路,以期对我军战场信息管控系统的研制与建设有所裨益。

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简介：CRT显示器用为一项技术成熟的产品，与LCD显示器在性价比上的优势使其在专业图像领域的用户内仍有一定数量的用户拥载．而最近开始流传一个新名词——“方管”技术，它号称攻克了传统CRT显示器的多个难题．并被称为是显示器发展历史上的又一次重大革新和突破．甚至有人认为“方管”显示器在显示的精准方面媲美LCD显示器．种种传言莫衷一是。那么到底什么是“方管“技术．“方管”技术到底能给我们带来多大的惊喜，我们从世界第一款采用“方管”的显示器LG的未来窗XP上可以看出一些端倪。

简介：<正>据《NEC技报》2005年第3期报道,该公司开发了用于手机基站的大功率、小型、高效的单芯片GaN晶体管。目前,用于基站的晶体管大都为Si或GaAs晶体管,为了获得240-300W的饱和输出功率,通常采用3-4个晶体管芯片进行功率合成。这次开发的单芯片功率管的特性大致如下:①在热导优异的SiC衬底上形成高品质的GaN和AlGaN的异质结;②形成高电压、大电流工作的场调制板(FP)电极结构;⑧采用可降低栅漏电流1/50的埋入电极结构。