简介：本文主要介绍了埋砂法恒定加速度试验时元器件的受力分析.

简介：新建三聚氰胺系统的循环水系统因在制造，加工，储放运输，安装等一系列过程中混入或产生的氧化皮，焊渣，油污，沙石，泥土和保温材料等各类杂质及腐蚀产物，为循环冷却水的正常投运创造必要的条件，同时也使循环水系统在开车后能够迅速达到设计要求并保证系统的正常稳定长周期的运行，而对循环水系统进行系统化学清洗和预膜。

简介：随着电子行业小型化多功能化发展的趋势，越来越多的多功能，体积小的元件应用于在各种产品上，例如QFN，LGA类元件。QFN是四侧无引脚偏平封装，呈正方形或矩形，电极焊盘布置在封装底面的四侧，实现电气连接，在封装底部中央有一个大面积裸露焊盘用来导热。这种封装具有良好的电气性能和散热性能，

简介：摘要随着电力设备应用范围的不断扩大，如何加强变电运维管理工作质量，从而有效的降低变电运维误操作事故问题的发生几率是当前人们需要关注的热点问题之一。本文从变电运维管理工作的必要性出发，论述了当前变电运维管理工作在开展过程中容易面临的变电运维误操作事故，并在此基础上阐述了变电运维误操作事故预控措施，希望能够提升变电运维管理工作质量的同时，保障电力系统的稳定性。

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：在故障前建立的支持光连接复原的预配置资源数量对网络性能有较大影响.本文首先对使用不同预配置等级的连接复原机制进行定性分析;然后描述了使用GLASS进行的仿真.通过仿真得到了定量性能分析结果,验证了定性分析的正确性,同时为运营商和服务提供商提供了一些可参考的信息.

简介：密封电子元器件在长时间存放后,会存在无法检测的现象.当超过密封件细漏检测的最长候检时间时,应再次压氦,然后进行细检漏.按现行的各种规范的规定,压氦法和预充氦法再压氦的条件、程序和判据一般均与首次压氦相同,但分析表明,这样可能会使测量漏率判据出现成倍或更大的偏差,有时会出现大漏的漏检和细漏的错判.推演出多次压氦法和预充氦压氦法的测量漏率判据公式,给出了相应的压氦条件和细检漏的最长候检时间,从而更为便捷准确地解决了长候检时间下的密封性检测问题.