简介：三氯氢硅（SiHCl3）作为硅外延片的关键原材料，其纯度直接影响着硅外延层的性能。一般三氯氢硅纯度的测试方法有两种，除采用化学分析方法测试外，通常用生长不掺杂外延层（本征外延层）的方法来确定。即采取测量三氯氢硅生长后的硅外延本征电阻率的方法来衡量其纯度。而影响硅外延本征电阻率的主要因素为系统的自掺杂，增加硅外延的生长时间可以有效抑制系统自掺杂，但无限制的增加生长时间必然导致生产成本的增加。文中通过实验数据，确定了一个合理的硅外延本征生长工艺过程，从而达到了评价三氯氢硅纯度的目的。
简介：摘要文中首先分析了供电保障对于三甲医院医疗设备正常运行的重要性，随后就三甲医院医疗设备运行期间常见的供电问题进行了分析和研究，旨在通过供电质量降低、电压波动加大、供电频率偏移、供电中断问题四点问题进行了比较详细的分析工作。随后，针对目前三甲医院医疗设备运行期间常见供电问题提出了几点有效的解决策略，主要包括科学合理配置电源、有效稳定设备运行电源、特殊场所不间断供电、规范化电气设计工作等几点内容，旨在通过本文研究内容展开，为三甲医院的医疗设备运行效率保障起到促进作用。
三氯氢硅本征电阻率（纯度）的测试方法
浅谈供电保障对三甲医院医疗设备的重要性
