简介：

简介：文章着重介绍高压水喷砂在汽车工业中的应用,结合工业企业的实际需求,运用现代自动控制技术,将繁琐、复杂的车体表面处理过程变得简单可行,生产效率大大提高,实现金属表面批量处理的流水线生产.

简介：

简介：<正>由意大利和美国科研人员组成的团队首次创建出基于硅烯材质的晶体管。他们发表在《自然·纳米科技》杂志上的论文描述了如何研制这种材料。硅烯是一种由单个原子厚度的硅制成的材料,就像石墨烯一样,被证明具有超凡脱俗的导电性能,这意味着它在未来电子产品中将大有用武之地,特别是人们对获得更快或更小的计算机芯片抱有无限希望的情形下。问题是,硅烯非常难制备,用单张硅烯来完成工作更是难上加难。距离物

简介：<正>在未来十年左右的时间里,蚀刻在硅基电脑芯片上的电路预计就将变得小无可小,从而促使人们寻找替代品来取代硅基芯片的地位。在使用什么材料作为替代品的问题上,有些研究者正对碳纳米管寄予厚望。近日,斯坦福大学的一个研究团队成功地演示了一个简单的微电子电路,这个电路是由44个完全以丝

简介：<正>近期,日本半导体企业整合动作频频。瑞萨出售3家工厂,运营结构进一步优化。村田制作收购NEC及NEC的全资子公司的磁阻传感器业务。富士通将与松下合并芯片业务,芯片制造则由台积电代工。日本半导体业为什么再次整合,其背后的深层原因是什么?这次整合能否

简介：

简介：美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式。其可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性纳米管,这对发展下一代计算机芯片具有非凡价值。相关文章发表于近期的《纳米快报》网络版。

简介：

简介：在本文中，我们提出了一个稳定的单光子探测方法基于硅雪崩光电二极管（硅雪崩二极管）在盖革模式具有较大的温度变化范围内操作。通过精确的温度传感和直流（DC）电压补偿，单光子探测器可以稳定工作在盖革模式from-40°C至35C°具有几乎恒定的雪崩增益。它为单光子探测在全天候条件下的户外作业提供了一种解决方案。

简介：<正>比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合Ⅲ-Ⅴ族与硅晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下,以及实现混合CMOS-RF与CMOS光电元件的化合物。随着晶片微缩即将接近原子级的限制,业界致力于提高晶片性能与降低功

简介：针对低密度校验码（LDPC）的硬判决位翻转（Bit—Flipping，BF）译码性能不佳的问题，文中在BF算法的基础上提出了一种新的判据计算方法，通过将BF算法中的判据加入迭代过程，改善了译码性能。计算机仿真结果显示，与BF算法相比，修改的IterateF-BF算法对低列重LDPC码有明显的译码改善。

简介：近日,澳大利亚通过硅元素制造量子处理器的计划已经启动.预计今年7月,悉尼新南威尔士大学（UNSW）量子计算和通信技术中心将会收到首批3300万美元的投资.据悉,这些资金来源于政府和产业界,其目标是创造现实可用的量子计算机.

简介：

简介：文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式，其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中，需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响，一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的，要制作低阻值多晶电阻，需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式，进行低阻值的多晶硅薄膜制作，并通过实验，证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。

简介：据《每日科学》2016年4月16日报道,在纳米光子领域,科学家首次实现了在硅基光子芯片上集成一个有机增益介质激光器,这一突破可对生产低价生物传感器带来无限潜能。来自卡尔斯鲁厄研究所（KIT）的研究人员开发了一种新的红外激光,将纳米硅质波导管和掺杂了有机染料的聚合物相结合,由此,激发这个有机激光器的能量来自于芯片上部与芯片表面垂直的脉冲光源。研究人员成功地将产生的脉冲激光辐射控制在1310nm波长范围,

简介：<正>2003年1月8日,我国年产1000吨多晶硅国家高新技术产业化示范工程,在四川省乐山市高新技术开发区开工建设。该项目是国家计委批准,由四川省新光硅业科技有限公司建设的国内唯一一条年产1000吨多晶硅的生产线,是西部大开发中目前国家投资最大的高科技项目,该项目总投

简介：随着三维叠层封装、MEMS封装、垂直集成传感器阵列以及台面MOS功率器件倒装焊技术的开发，硅通孔互连技术正在受到越来越广泛的重视和研究。文中叙述了几种硅通孔互连技术的制造方法，以及它们在三维封装、MEMS封装、高密度硅基板、垂直集成传感器阵列和台面MOS功率器件等方面的应用。最后，进一步阐述了硅通孔互连中几项关键技术的研究现状以及存在的挑战。

简介：本文阐述了ULSI硅衬底片清洗的重要性,介绍了目前世界上采用的各种清洗方法(湿法、干法、超声、激光等)的概况,并通过理论分析及清洗实验研究找出适用于工业规模应用的硅片清洗液和清洗技术.

简介：<正>SOI技术在上世纪80年代开始发展,其性能优势得到业界公认,如抗辐射、低功耗、高速、工艺简单等,被认为是"二十一世纪的硅集成电路技术"。但SOI晶圆成本高于普通硅晶圆,而没有得到推广。1998年IBM成功利用SOI技术制成高性能处理器,标志着SOI正式迈入高性能商用芯片市场。此后的十几年SOI领