简介:在研发一套基于0.18μm工艺的全新半导体芯片时,由于芯片工艺的要求我们将标准0.18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN+SION改为SIN,但却引进了PID(等离子体损伤)的问题。当芯片的关键尺寸减小到0.18μm时,栅氧化层变得更薄,对等离子体的损伤也变得更加敏感。所以如何改善PID也成为这款芯片能否成功量产的重要攻坚对象。这一失效来源于接触孔阻挡层的改变,于是将改善PID的重点放在接触孔蚀刻阻挡层之后即后段工艺上。后段的通孔蚀刻及钝化层的高密度等离子体淀积会产生较严重的等离子体损伤,因此如何改善这两步工艺以减少等离子体损伤便成为重中之重。文中通过实验验证了关闭通孔过蚀刻中的磁场以及减小钝化层的高密度等离子体淀积中的溅射刻蚀功率可以有效改善芯片的等离子体损伤。通过这两处的工艺优化,使得PID处于可控范围内,保证了量产的芯片质量。
简介:首先介绍了多晶电阻在线监控和工艺控制模块(PCM)监控的两种方法:四探针法和范德堡法,并解决了四探针法在线监控方法多晶电阻波动大的问题;针对生产过程中遇到的多晶电阻偏小问题,通过扫描电镜分析发现多晶晶粒明显偏大,通过对多晶淀积速率的分析确定多晶速率越小,多晶淀积晶粒越大,根据多晶导电理论可知多晶晶粒大,晶粒间界变小,晶粒间界杂质俘获变少,多晶掺杂浓度转化为载流子的比例变高,因此多晶电阻变小。最后根据工程实践列举了影响多晶淀积速率的两大主要因素为多晶淀积温度和多晶炉管维护次数,为保证多晶淀积速率稳定,多晶炉管维护次数尽量少于6次,同时需要对多晶淀积温度进行控制。
简介:HSDPA技术是WCDMA制式在R5标准中引入的增强型技术,通过共享信道传输、高阶调制、更短的时间间隔(1TrI)、快速链路适配、快速调度、快速混合自动重传请求等技术,大幅提升了下行数据吞吐量与用户速率。根据测试结果,在室外普通城区场景下CS64kbps业务覆盖边缘,HSDPA网络边缘吞吐率通常可达200kbps左右,小区吞吐率理论上最高可达14.4Mbps,这样可使用户在移动的情况下享受到更好的服务。由于HSDPA仅提高了下行传输链路带宽,上行仍承载在R99DCH信道上,因此HSP—DA能够有效推动如高质量视频、交互式游戏等上下行非对称业务的快速发展。
简介:摘要正如党中央提出的,青少年是国家的未来和民族的希望;为实现中华民族伟大复兴的中国梦而奋斗是中国青年运动的时代主题。而青少年要是复兴伟大的中国梦就必须从接受良好的教育开始。教育心理学对教育青少年起了至关重要的作用,运用其中的学习策略,学生可以更有效率地学习,教师也可借助学习策略的力量,引领同学走学习上更为顺畅的道路。它直接影响到教育行为的成功。心理教育行为贯穿于全部教育教学活动中。心理教育行为承担着四个方面的任务培养、开掘、预防和补救。而对于像我一样的在校师范生来说,学好发展教育心理学不仅对自身学习有很大的帮助,而且对未来走上讲台后有深远的启发意义。