简介:在半导体制造工业中,参数测试作为有效的对在线制品的监控手段,一方面反映了工艺线的工艺水平状况,另一方面它也是制造公司与设计公司之间进行沟通的主要依据。而对于新工艺研发来说,参数测量及分析更是整个研发过程中极其重要的一部分,及时准确的参数测量结果是产品工程师快速作出工艺研发方向的判断依据。因此,芯片参数测量分析的主要作用在于:在工业生产中得到大量的测量数据,用于评价工艺设备、半导体材料和电路结构,监视和控制工艺和器件参数的均匀性、重复性、协调性,分析工艺中存在的缺陷,诊断电路性能失常规律,预测成品率,预报可靠性信息等等。文章主要介绍了运用参数测试对在线工艺异常进行可靠性评估的方法。
简介:本文介绍了一种在通孔回流工艺(THR)中实现插件(THC)自动贴装的方案,提高THR工艺的自动化程度和生产效率。希望给业界同行提供一些参考作用。
简介:<正>信息产业部政策法规司副司长郭福华日前表示。信息产业部正在制定一个中国信息产业的发展目标,计划在5~10年内将中国建成"世界电子信息产业基地"。郭福华表示,目前IT业在珠江三角洲、长江三角洲、环渤海湾等沿海地区已经出现了集约化的趋势。曾有外国厂商预言,东莞至广州的交通一旦瘫痪,全世界的电脑厂商的生产都会处于停顿状态。这足以说明中国IT产业在世界的地位。郭福华认为,中国发展IT产业目前有三大优势。一是发达国家的电子信息产业不断向劳动生产成本较低的中国转移,二是十六大已经明确提出国家要大力推动信息化建设,三是加入WTO后,国内厂商可以同等的身份进入国际市场竞争。
简介:基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、输出阻抗,并通过微带多节阻抗变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,同时还加入了稳定网络,最终实现了50Ω输入输出阻抗匹配。该大功率GaNHEMT内匹配器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为4×16mm。在50V漏电压、1ms周期、10%占空比的测试条件下及5.3~5.9GHz频率范围内,输出功率均高于56dBm,最高达到56.5dBm,功率增益均大于12dB,带内功率附加效率超过48.2%。