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17 个结果
  • 简介:低温共烧陶瓷LTCC基板是实现小型化、高可靠微波多芯片组件MMCM的一种理想的封装技术,文章对LTCC技术的特点及应用做出了评述,主要介绍国内外LTCC的现状、发展趋势与问题,同时突出强调了LTCC的飞速发展及对微波器件的重要性。

  • 标签: 低温共烧陶瓷 基板 封装
  • 简介:文章讨论了低温共烧陶瓷(LowTemperatureCo—FiredCeramic——LTCC)埋置电感的几何结构,并进行了仿真。分析了结构变化对电感各参数的影响,并通过LTCC工艺流程实现样品的制作。经Agilent4285A及4291B等仪器测试,仿真结果与实测结果完全一致,为等效模型的提取和元件库的建立奠定了基础。

  • 标签: 低温共烧陶瓷 埋置电感 等效电路
  • 简介:摘要:首先阐述了拉断阀的在流体参数介质处理中的实际应用状况,还分析了有关规范中对拉断阀门的拉裂力矩的确定因素与数据来源,并指出了在LNG充装中,GB50156规范的要求也是有待商榷的,还对充装制动软管用的低压拉裂阀门中适用的拉裂力矩进行了分析测算。

  • 标签: LNG 低温 拉断阀 拉断力
  • 简介:<正>日本产业技术综合研究所日前发布消息说,他们通过自行开发的"大容量高纯度臭氧发生装置"生产出浓度高于90%的臭氧,并成功使用这种超高浓度的气体在400摄氏度较低温环境下制造出高品质的硅氧化膜。

  • 标签: 硅氧 臭氧发生装置 日本产业 综合研究所 低温环境 鼻高
  • 简介:文章对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析和总结,重点分析了温度补偿原理。在对传统温度补偿技术改进的基础上,采用低失调电压运算放大器,融合了熔丝烧写调整电压技术,提出了一个温漂低于15×10^-6℃^-1的改进型带隙基准源电路j整个电路采用CSMC0.5μm工艺设计,采用Hspice进行仿真。为补偿工艺偏差,输出电压及输出电压的温漂均可通过铝熔丝烧写来调整。

  • 标签: 带隙基准电路 温度补偿 熔丝
  • 简介:近日,澳大利通过硅元素制造量子处理器的计划已经启动.预计今年7月,悉尼新南威尔士大学(UNSW)量子计算和通信技术中心将会收到首批3300万美元的投资.据悉,这些资金来源于政府和产业界,其目标是创造现实可用的量子计算机.

  • 标签: 量子计算机 澳大利亚 硅元素 新南威尔士 技术中心 资金来源
  • 简介:摘要本文的研究对象是埃塞俄比法拉沙人。本文的第一部分从法拉沙人的起源和分布入手,说明法拉沙人被称为埃塞俄比犹太人的原因,并引出埃塞的宗教文化背景,即无论是埃塞正教抑或是法拉沙人的宗教,都承袭了蕴含在埃塞本土文化当中的犹太元素。第二部分主要记述法拉沙人族群在埃塞如何产生和作为该族群身份认同核心的宗教得到了怎么样的发展。第三部分主要记述法拉沙人回归以色列的几次行动以及回归以色列后法拉沙人面临的新的社会问题。

  • 标签: 法拉沙人 埃塞俄比亚 黑犹太人
  • 简介:介绍了一种应用于脉冲中子时间谱测量的新型纳秒有机闪烁纤维中子探测器,叙述了这种中子灵敏型探测器的探测原理,详细阐述了探测器的结构设计及具体的制作工艺,并给出了达到的技术指标.同时报道了为制作探测器而研制的一种新型纳秒有机闪烁纤维,介绍了闪烁纤维的选材、制作及其时间响应特性.

  • 标签: 有机闪烁纤维阵列 中子灵敏度 时间响应 中子探测器
  • 简介:爱立信获选成为澳大利亚运营商Telstra未来五年的3G/WCDMA独家供应商。预计这一框架协议总价值超过7800万美元(约一亿澳元),爱立信将提供包括HSDPA在内的分层结构核心网和无线接入网络的设备和网络实施服务。

  • 标签: 爱立信 3G网络 无线接入网络 HSDPA 核心网 WCDMA
  • 简介:气密封装对采用裸芯片组装而成的多芯片组件至关重要,它可以让组件内部长期保持惰性气氛,降低元器件因湿气造成的环境失效。可伐材料是一种常用的封装材料,在微组装领域应用广泛。为弥补这种材料材料密度大、导热性能差的缺点,结构上选择铝碳化硅材料增强散热效果,同时达到减重的目的。采用低温钎焊工艺进行材料间连接,针对前期研制过程中出现的半密封检漏不合格问题进行分析,开展焊料选择、焊接参数优化工作,使半密封检漏漏率小于5×10-2Pa·cm3/s。

  • 标签: 气密封装 低温钎焊工艺 焊接参数
  • 简介:按照和记黄埔有限公司(HutchisonWhampoaLimited)公布的最新报告,其子公司和记电讯(澳大利)有限公司(HutchisonTelecommunicationsAustraliaLtd.)的第三代移动业务在一月份到三月份表现出了强劲的增长势头,新增了90,000名用户。

  • 标签: 澳大利亚 用户 电讯 3G 有限公司 和记黄埔
  • 简介:微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求。由于光刻工艺中存在的套刻偏差,使得后续源漏注入剂量会在多晶栅上有所偏差,影响了后续TiSi在多晶栅上的生长。文章采用多晶栅上生长一层LPCVDSiN作为掩蔽层的方法,避免了由于光刻套刻偏差引入的注入剂量偏差,改善了后续多晶栅上TiSi的生长。通过对As注入和P注入在不同SiN厚度掩蔽层下穿透率的研究发现40nm左右基本可以阻挡95%的N+S/DAs注入剂量而保留80%的多晶栅P注入剂量。该种掩蔽层方法有很多优点:源漏注入的条件不用更改;多晶栅注入的可调节剂量范围大大增加,可以更好地保持重掺杂多晶栅特性。

  • 标签: 硅化钛 多晶栅 掩蔽层
  • 简介:沃达丰空中通讯公司(VodafonePLC.VOD)的澳大利公司上周五公布了更具体的有关其第三代服务的推出时间,该公司表示,其3G网络将从10月份开始在悉尼和墨尔本运营。这表示布里斯班、佩思和阿德雷德必须等到2006年第一季度才能使用沃达丰的3G服务。

  • 标签: 澳大利亚 公司 服务 2006年 10月份 3G网络
  • 简介:文章首先分析了静态随机存储器(SRAM)6T存储单元结构的基本工作原理,总结了6T存储单元的优缺点并介绍了存储单元的重要参数静态噪声容限(SNM)。在此基础上给出了一种基于实际深微米CMOS工艺的存储单元的设计方法,该方法的优势在于首先考虑单个读、写操作的限制,然后将多个限制因素综合在一起考虑,并通过三维曲线图形为仿真提供指导,以提高设计效率,缩短设计周期。最后给出了存储单元的晶体管参数并采用Hspice进行验证,仿真结果表明,采用这种方法设计出来的单元是稳定可靠的。

  • 标签: 静态随机存储器 深亚微米 6T单元 静态噪声容限 仿真