简介:摘要半导体设备是芯片制备的载体,多用铝合金作腔体。本文以铝合金腔体出现的水路堵塞、腐蚀现象为研究对象。通过水路堵塞、腐蚀现象的状态展示,扫描电镜的化学成分分析及堵塞颗粒物成因模拟实验,探索、找寻堵塞、腐蚀现象的成因及解决办法。实验及分析结果表明因铝本身的化学活性易与多种材料(铜、铁、镍等)发生化学乃至电化学反应,以致形成颗粒状氧化物造成材料表面腐蚀及管路堵塞。
半导体设备铝合金腔体水路堵塞、腐蚀问题分析