简介：<正>据报道,日本富士通公司开发出了新型倒装芯片封装技术。该技术可形成35微米超细间距的焊点和高精度的倒装芯片互连。与传统倒装芯片互连相比,该项技术突破性将连接密度提高了大约50倍。传统的倒装芯片技术为了避免焊点间的短路,焊点间距大约介于

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简介：<正>据日本媒体NihonKeizaiShimbun报道,日本有色金属制造商DowaMin-ing有意批量生产蓝宝石基的GaN衬底材料。总部位于东京的Dowa公司将与名古屋工业大学合作开发上述产品,某些技术将由NGKInsulators公司提供。Dowa公司预计向这个新项目投资超过4600万美元,在2007年财年一开始就投入量产,并预期在2008财年期间产品的销售收人达到9000万美元左右。

简介：ARM公司近日在IEEESOI会议上发布了一款绝缘体上硅(SOI)45纳米测试芯片的测试结果。测试结果表明,相较于采用传统的体效应工艺(bulk

简介：<正>据《OplusE》(日)2003年第9期报道,日立制作所正着手开发使用SiGe衬底的80Gbit光通信IC。高速光通信IC通常使用价格昂贵的GaAs衬底等化合物半导体材料。日立制作所采用分割多重技术,并使用SiGe衬底材料,使低价格优质产品投放市场。随着高速化光通信网的快速发展,80Gbit光通信IC的需求不断增加,开发SiGe衬底80GbitIC是对GaAsIC的一次挑战。

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简介：<正>据《电子材料》2002年第11期报道,日立制作所日前开发了用于下一代光网络系统的40Gbit/s光调制器。在该光调制器中使用了集成专用驱动电路的小型光传输模块。在无需光放大器时,其传输距离达2Km。该器件在与发射机组装时具有完整的阻抗匹配性,且容易与周边电路集成。为了与周边电路实现匹配,将InP—HBT光调制器驱动器集成于同一封装体内。该器件的光输出性能为1.3dBm。

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