文章对版图优化方法进行了研究，给出了几种版图优化的方法。通过研究发现，对于体硅而言要提高单元速度主要是通过减小源漏面积来实现；而对于SOI单元要提高速度只能通过减小单元的源漏周长来实现。通过仿真对比普通结构栅、叉指结构栅和环形结构栅的组成的反向器环振周期，可以发现采用叉指结构和环形栅结构不仅能有效减小单元面积，并且能通过减小源漏周长提高单元速度。
电子与封装
2009年8期
