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摘要:基于L波段250W的GAN功放管,本文成功实现一款800W的固态脉冲功率放大模块;实验结果表明,该脉冲功率放大器可应用于L频段高占空比脉冲功率发射机中。
关键词:L波段:GAN:功率放大器:高占空比
Design of a 800W High-Duty Ratio Pulse Amplifer Module
for L-band Application
YAOJian-hai
Abstract:A1000W high-dutyratio pulse amplifier module is realized in this paper, which is based on the 300W GAN transistor for L-band application.The final measured results show that the pulse amplifier could be used for high-dutyratio L-band transmitter module application.
Key words:L-band;GAN:power amplifier: high-dutyratio
1引言
近年来,随着先进半导体技术不断深入发展,对固态功率放大器设计提供更多、更优解决方案。固态高功率放大器主要采用LDMOS(Lateral Double diffused MOS Transistor),但其散热性能差,无法满足现在设备小型化、集成化的要求,而GAN(Gallium Nitride)则提供一种最优的解决方案。
对比LDMOS放大器,GAN具有更高的效率。从单管效率来看,LDMOS功率器件的效率一般在50%左右,而GAN单管的效率一般在55%以上,且有更好的散热性能。
本文针对L波段高占空比功率发射机应用,基于国产250W的GAN功放管,通过功率合成技术,成功实现一款800W固态脉冲功率放大模块。功放模块能应用于L波段高占空比个发射机中。是一种高性能、高可靠性的高占空比功率发射机优选方案。
2功放主要技术指标
本文提出一种高增益高占空比功放模块,其主要应用于L波段发射机等设备,主要技术指标为:
(a)工作频率:L波段
(b)输出功率:≥800W
(c)效率:≥60%
(d)脉冲占空比:短期50%,长期25%
(e)脉冲顶降:≤0.3(单个脉冲)
≤0.5(脉冲序列)
3设计方案
功放模块的设计方案如图1所示,功放模块包括四只功率管、六只合路电桥,实现L波段800W平均占空比25%输出。四只功率管烧结在铜底板上,保证良好散热。
图1方案框图
单只功率管包括输入输出匹配电路、栅极和漏极直流偏置、滤波电路,如图2所示;另外还包括电源变换电路、储能电容、负压保护和漏极调制电路,如图3所示。
图2 单只功率管电路原理图
图2中,Q1为国产GaN功率管,输出连续波功率 300W,增益 17dB;“PA_IN”、“PA_OUTJT”分别表示输入、输出匹配电路;电容均采用CC41系列高Q微波瓷介电容,C1、C2为隔直电容,C3、C5为射频旁路电容,其自谐振频率应高于工作频率,在保证足够输出功率的前提下,旁路电容应尽量靠近功放管,以改善脉冲输出波形;C4、C6为滤波电容,减小电源纹波,滤波电容采取不同容值电容并联形式比较好,但是,实际中滤波电容值要
小于 1000pF,否则会使输出波形的上升/下降“沿”恶化。
图3中,“负压转换及保护电路”将+48V电源变为负压“VGS”并通过逻辑判断,当发射开关“TTL”和“VGS”都正常后,使NPN管Q3导通,通过R2、R3组成的自举电路使PMOS管Q2导通,给功放管漏极加电;C7和C8为大容量储能电容,以减小功率管发射期间漏极电压变化幅度,C7主要保证单脉冲顶降指标要求,C8主要保证脉冲序列顶降指标要求。
图3 负压保护及漏压调制电路原理图
在设计过程中,尽量减小储能电容至PMOS管和PMOS管至旁路电容之间的导线的长度,从而减小导线电感,提高导线上电流的变化速率,改善“振铃”效应5]。上层射频电路PCB版图如图4所示,包括了输入输出匹配电路、检波电路,板材采介电常数为10.2
图4功放模块电路PCB版图
2.3 测试结果
根据图4对功放模块进行加工和装调,按脉冲串宽度5.6mS,平均占空比25%进行测试。
图5 功放主要指标测试结果
由图可看出测试结果:输出功率大于800W,单个脉冲顶降≤0.3dB,脉冲序列顶降≤0.4dB。
3 结论
本文研制了一款L频段800W高占空比脉冲功放模块,采用GaN器件结合漏极调制方式,使效率大于60%;采用国产元器件,不受限于国外管制,测试结果验证了该方案的有效性,为L波段发射机提供一种高效率、高可靠性的解决方案。
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