在大约431nm的蓝光在C+培植以后从取向附生的硅被获得，在顺序蚀刻的氢环境和化学药品退火。随化学蚀刻的增加，蓝山峰起初被一座红山峰最后提高，然后减少了并且代替。C=O混合物在C+培植期间被介绍并且在纳米Si的表面嵌入在退火期间形成了，并且最后被形成纳米硅与嵌入结构，它贡献蓝排放。介绍是光致发光的可能的机制。
半导体光子学与技术：英文版
2008年1期
