碳化硅晶体生长机理及其结构缺陷控制研究

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摘要 摘要:文章详细分析了物理气相传输法(PVT)等主流生长方法的机理,并讨论了生长过程中热力学与动力学因素对晶体质量的影响。针对SiC晶体中常见的微管缺陷、螺位错、堆垛层错等结构缺陷,提出了一系列优化生长条件、改进籽晶质量与极性选择、以及后处理消除缺陷的控制策略。通过实验研究,验证了这些控制方法的有效性,显著降低了缺陷密度,提高了晶体质量。
出处 《科技新时代》 2024年19期
出版日期 2024年12月17日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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