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碳化硅晶体生长机理及其结构缺陷控制研究
碳化硅晶体生长机理及其结构缺陷控制研究
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摘要
摘要:文章详细分析了物理气相传输法(PVT)等主流生长方法的机理,并讨论了生长过程中热力学与动力学因素对晶体质量的影响。针对SiC晶体中常见的微管缺陷、螺位错、堆垛层错等结构缺陷,提出了一系列优化生长条件、改进籽晶质量与极性选择、以及后处理消除缺陷的控制策略。通过实验研究,验证了这些控制方法的有效性,显著降低了缺陷密度,提高了晶体质量。
DOI
rj8vymvzy4/8848058
作者
徐晖
杨帆
姜克勇
杨铭
李尧炜佳
丁克明
郭邵磊
机构地区
新疆天科合达蓝光半导体有限公司 832000
出处
《科技新时代》
2024年19期
关键词
碳化硅(SiC)
晶体生长机理
结构缺陷
分类
[建筑科学][建筑技术科学]
出版日期
2024年12月17日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
科技新时代
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