首页 > 《科技新时代》 > 2019年3期 > 碳化硅晶体生长过程中的扩径与缺陷控制研究

碳化硅晶体生长过程中的扩径与缺陷控制研究

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要摘要为了提高碳化硅晶体生产质量和降低后续加工碳化硅衬底时的晶体开裂问题，本文对碳化硅晶体结构缺陷的形成和抑制进行了研究。研究表明碳化硅晶体扩径过程中的单晶比例会直接影响后续加工的晶体开裂率，其次，通过精细控制长晶工艺条件能够降低碳化硅晶体中的微管密度。

DOI 3j751evgd1/4435053

作者路亚娟

机构地区河北同光晶体有限公司，河北保定071000

出处《科技新时代》 2019年3期

关键词碳化硅扩径缺陷控制

分类 [医药卫生][]

出版日期 2019年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

相关文献

1李尧炜佳. 碳化硅晶体生长过程中的扩径与缺陷控制研究.建筑技术科学,2024-12.
2徐晖,杨帆,姜克勇,杨铭,,李尧炜佳,丁克明,郭邵磊. 碳化硅晶体生长过程中凸度问题的分析与解决方案.建筑技术科学,2024-12.
3徐晖,杨帆,姜克勇,杨铭,,李尧炜佳,丁克明,郭邵磊. 碳化硅晶体生长机理及其结构缺陷控制研究.建筑技术科学,2024-12.
4刘新辉. 碳化硅晶体生长的分子动力学模拟研究.医药卫生,2019-03.
5姜克勇,杨帆,王宝良,. 温度梯度对碳化硅晶体生长形态及缺陷影响的研究.建筑技术科学,2024-10.
6马超凡1,冯冶2. 碳化硅晶体缺陷与电学特性关系研究.建筑技术科学,2023-09.
7杨继光;马丽娟;马泉山. 碳化硅及碳化硅制品.陶瓷工业,2002-04.
8陈靖松. 晶体生长过程中排除氧化铝系统杂质方法.建筑技术科学,2024-04.
9李尧炜佳. 碳化硅单晶生长中的微管缺陷形成与抑制机制探讨.建筑技术科学,2024-12.
10. 碳化硅晶体产生中红外飞秒激光研究获进展.物理,2015-01.

来源期刊

科技新时代

科技新时代

相关推荐

同分类资源更多

相关关键词

碳化硅扩径缺陷控制

返回顶部