摘要
摘要本研究提出了一种高击穿电压AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（DCBL-HEMT），它具有通过在栅极和漏极之间的钝化层中加入两个负电荷区形成的双电荷区势垒层结构。负电荷的引入可以氟等离子体处理实现。相较于普通钝化层结构和场板结构的晶体管，具有双电荷区阻挡层结构的晶体管沟道中的电子被势垒层中的负电荷耗尽。栅边缘的电场集中得到改善，沟道层出现两个新的的峰值电场，使电场分布更加均匀。双电荷区势垒层结构可以调节沟道层中的电场分布，有效地提高器件的击穿电压。通过sentaurus仿真软件对器件的结构和双电荷区进行优化，最终得到了284V的击穿电压。
出版日期
2019年02月12日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
