摘要
采用GaN材料常用的生长设备金属有机化合物气相沉积（MOCVD）系统,以蓝宝石为衬底,在GaN上沉积AlGaN薄膜。通过调整MOCVD中喷淋头与基座间的距离,探讨喷淋头高度对AlGaN薄膜生长的影响。选择4个喷淋头高度生长样品,利用金相显微镜、原子力显微镜（AFM）和X射线衍射（XRD）对样品进行表征。实验结果表明,在一定范围内,随着喷淋头高度增大,样品表面平滑粗糙度减小,由XRD测试可得此时晶体质量也变好,Al组分线性减少;但继续增大喷淋头高度时,导致预反应过多,Al组分更少,且表面粗糙度增大。
出版日期
2018年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
