我国数字频率合成芯片获突破进展

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摘要 近日,中国科学院半导体研究所科研人员在新型高速直接数字频率合成(DDS)芯片研制中取得突破性进展,采用0.35μm常规互补金属氧化物半导体电路(CMOS)工艺,研制出合成时钟频率达2kMHz的新一代不需要只读存储器的低功耗直接数字频率合成(ROM-LESSDDS)高速芯片。目前,这种CMOSDDS结构方式的芯片速度指标处于国际同类芯片领先地位,此前国际上报道的类似芯片的合成时钟频率仅为1.2kMHz。
作者
机构地区 不详
出处 《电力电子》 2005年4期
出版日期 2005年04月14日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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