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我国数字频率合成芯片获突破进展
我国数字频率合成芯片获突破进展
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摘要
近日,中国科学院半导体研究所科研人员在新型高速直接数字频率合成(DDS)芯片研制中取得突破性进展,采用0.35μm常规互补金属氧化物半导体电路(CMOS)工艺,研制出合成时钟频率达2kMHz的新一代不需要只读存储器的低功耗直接数字频率合成(ROM-LESSDDS)高速芯片。目前,这种CMOSDDS结构方式的芯片速度指标处于国际同类芯片领先地位,此前国际上报道的类似芯片的合成时钟频率仅为1.2kMHz。
DOI
rdx9x895dl/386525
作者
机构地区
不详
出处
《电力电子》
2005年4期
关键词
频率合成芯片
直接数字频率合成(DDS)
中国科学院半导体研究所
时钟频率
高速芯片
突破性进展
分类
[电子电信][电路与系统]
出版日期
2005年04月14日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
电力电子
2005年4期
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