简介：

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简介：为供给继电保护、控制、信号、计算机监控、事故照明、交流不间断电源等直流负荷，变电站内应设有蓄电池供电的直流系统。但直流系统如果发生故障，会给系统造成巨大隐患，因此必须进行排查，消除故障。

简介：制备分析样品的方法：将欲被分析的杂质从磷酸中单独沉积下来并与磷酸分离；分析杂质的方法：将杂质从磷酸中单独沉积下来并与磷酸分离；再对分离的物质进行分析；制备高纯磷酸的方法：从待净化的磷酸中单独沉积出杂质并进行分离；制备半导体元件的方法：用磷酸作处理液，该磷酸的杂质含量(由所含的放射性元素Pb，Bi和Po的浓度确定)，不大于10^-3Bq/ml(Bq，贝克勒尔，放射性单位)。

简介：本专利所述的CaP型半导体基板用于红光发射的元器件，其制造方法是先生长n型单晶，此单晶含有1．0×10^16个原子／c．c，用B203并含有≥200ppm的H20作为封装液体来用查理斯基封装法(Czochraskimethod)封装，生成一种CaP和P型CaP层在半导体的表面上。N型CaPn型层可掺杂入S，P型CaP可掺杂O或Zn。

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简介：采用溶胶-凝胶法，以硝酸铁（Fe（NO3）3·9H2O）和钛酸丁酯（Ti（OBu）4）为原料制备出均匀透明的TiO2-Fe2O3复合异质结构光催化薄膜材料，并将其在不同温度下进行了热处理。利用原子力显微镜（AFM）、紫外-可见分光光度计对试样的表面形貌和透光率进行了表征。考察了不同组成、热处理制度和温度对材料光催化性能的影响，特别是对可见光区的光催化性能的影响，并对其光催化机理进行了探讨。结果表明：TiO2-Fe2O3复合异质结构光催化薄膜的光催化活性比纯TiO2结构薄膜有了明显提高．且向可见光波段偏移。

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