简介:采用原位电阻率测试和透射电镜观察研究Al—0.96Mg2Si合金的析出行为及其对电阻率的影响。发现峰值时效的析出相包括β"和β',而他们的比例随着时效温度和时间的改变而变化。合金在175℃峰值时效内的析出相主要是针状β"相(也包括pre-β")。这些析出相会随着时效时间的延长而长大,但是进一步延长时效时间至超出峰值时效时间后,析出相的尺寸变化并不显著。合金电导率的变化规律与之类似。合金硬度峰值时效后,继续时效很长一段时间硬度变化都不显著。由于温度是影响β"β’比的主要因素,因此时效温度也是影响电阻率的主要因素。时效温度越高β"/β’的比值越小,△p下降的速度就越快。硬度也随着该比值的减小而降低。通过对透射电镜照片分析获得析出相的分布参数,建立了析出相与电阻率之间的半定量关系式。
简介:采用纯Al片表面浸Zn后再电镀厚Cu层的方法制备Cu/Al层状复合材料。在473~673K温度范围内对该复合材料进行退火,研究退火过程中Cu/Al界面扩散与反应、界面金属间化合物(IMCs)层的长大动力学以及Cu/Al层状复合材料电阻率。结果表明,经过473K、360h的退火处理,未观察到Cu.AlIMCs层,显示Zn中间层能有效抑制Cu/Al界面扩散。可是,当复合材料经573K及以上温度退火时,Zn层中的Zn原子主要向Cu中扩散,从Al侧到Cu侧形成CuAl2/CuAl/Cu9Al4三层结构的反应产物。IMC层遵循扩散控制的生长动力学,Cu/Al复合材料的电阻率随退火温度及时间的增加而增大。
简介:针对23Co14Ni12Cr3Mo超高强度钢材料,研究喷丸强化对其表面性能的影响。采用扫描电镜、白光干涉仪等设备,分析喷丸强化对试样表面形貌、粗糙度、硬度、残余应力、元素含量等的影响。结果表明:喷丸强化后,试样表面留有大量弹坑,产生明显塑性变形;表面粗糙度增大,算术平均粗糙度为1.33μm;硬度显著增大,最表层硬度由喷丸前的HV476增加至HV497,硬化层深度约150μm;试样表层的残余压应力值由375MPa增加至475MPa,最大残余压应力值约518MPa,位于距表面50μm深度处,喷丸形成的残余压应力层深度约为134μm;喷丸后试样中C、Si、Cr等各元素的质量分数均略有增加。喷丸在一定程度上改善了23Co14Ni12Cr3Mo钢材料的表面性能,有利于提高其疲劳抗力和耐腐蚀性。
简介:通过气雾化方法制备Al86Ni7Y4.5Co1La1.5(摩尔分数,%)合金粉末。首先,将粉末进行不同时间的球磨,然后在不同的烧结温度及保压时间等条件下对粉末分别进行热压烧结和放电等离子烧结。通过X射线衍射仪(XRD),扫描电镜(sEM)以及透射电镜(TEM)对粉末和块体材料的显微组织和形貌进行表征。结果表明:在特定球磨参数下球磨100h以上可以产生非晶,而且通过放电等离子烧结可以得到非晶/纳米晶块体材料,然而这种材料的相对密度较低。通过热压烧结可制备抗压强度为650MPa的Al86Ni7Y4.5Co1La1.5纳米块体材料。
简介:随着电子整机的多功能化、小型化.半导体元器件装配用的基板线条也逐渐趋于微细化。印制电路板一般用的铜箔(以下称为一般铜箔)表面都经过了粗糙化处理.在蚀刻成为线路时.铜箔的粗糙化部分嵌入粘合结构中很难蚀刻干净.所以不适合制作精细线条的印制电路板。为此.日立化成公司研发成功了一种表面不进行粗糙化处理.表面粗糙度在1.5μm以下,表面较平滑适合于制作精细印制电路的铜箔(以下称无粗糙化铜箔)。一般认为.表面平滑的铜箔其抗剥强度较低:但这种新开发的铜箔表面经过了特殊处理.仍然与低轮廓铜箔相当,保持0.7kN/m以上的抗剥强度。采用这种无粗糙化铜箔.以减成法可蚀刻成60μm线宽的精细线路。并顺利地进行无电镀镍/金工艺作业.减少了对镀浓的污染。当前正处于高速度、大容量的信息化时代.使用这种新型铜箔的线路与一般铜箔者相比.同样是传输5GHz的信号,线路的衰减将降低8dB/m。此项技术将对商逮印制电路板基材的研发起到积极作用。
简介:介绍了刚-挠结合型印制电路板封装技术的原理、做法和在空间技术中应用的重要意义。