简介:
简介:2010年5月16日~19日,受国家能源局委托,核工业标准化研究所在广西北海组织召开了《核电厂核岛配电系统设计第1部分:总则》(修订EJ/T1134-2001)、《核电站电气设备水危害防护实用方法》、《核电厂安全级电路电缆系统的设计和安装》(修订EJ/T534-1991)、《电缆贯穿挡火封堵件鉴定试验》(修订EJ/T674-1992)4项核电标准(送审稿)的审查会。本次审查会是核电行业标准化技术委员会(以下简称标技委)正式成立后的第一次核电行业标准审查会,国家能源局、环境保护部核与辐射安全中心、中核集团科技部、中国核动力研究设计院、中国核电工程有限公司、上海核工程研究设计院、核动力运行研究所、
简介:利用同步辐射(BSRF)漫散射站四圆衍射仪,对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积(APCVD)生长的3C-SiC/Si(001)中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H(H为Hexagonal的缩写)结构。对3C-SiC外延薄膜,Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上,外延取向关系为:(001)3C-SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C-SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射,采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C-SiC孪晶所致,并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1%。
简介:ThisworkinvestigatedC2F6/O2/ArplasmachemistryanditseffectontheetchingcharacteristicsofSiCOHlow-kdielectricsin60MHz/2MHzdual-frequencycapacitivelycoupleddischarge.FortheC2F6/Arplasma,theincreaseinthelow-frequency(LF)powerledtoanincreasedionimpact,promptingthedissociationofC2F6withhigherreactionenergy.Asaresult,fluorocarbonradicalswithahighF/Cratiodecreased.Theincreaseinthedischargepressureledtoadecreaseintheelectrontemperature,resultinginthedecreaseofC2F6dissociation.FortheC2F6/O2/Arplasma,theincreaseintheLFpowerpromptedthereactionbetweenO2andC2F6,resultingintheeliminationofCF3andCF2radicals,andtheproductionofanF-richplasmaenvironment.TheF-richplasmaimprovedtheetchingcharacteristicsofSiCOHlow-kfilms,leadingtoahighetchingrateandasmoothetchedsurface.