简介:为某人制作了非制冷探测器。探测器是基于as0.05sb0.95和as0.09sb0.91厚外延层生长在衬底上通过熔体外延(我)。GE浸没透镜在光导体。截止波长在as0.09sb0.91探测器明显延长至11.5μm,而且在as0.05sb0.95探测器是8.3μ室温,在6.8米和1μ200Hz调制频率波长DλP*峰值探测率为1.08×109厘米·典型/2·W-1为as0.09sb0.91光导型探测器,探测率D*在9μm波长为7.56×108厘米·典型/2·W-1,和11μm是3.92×108厘米·典型/2·W-1。在as0.09sb0.91探测器的探测率在波长长于9μM是一个数量比在as0.05sb0.95探测器高幅度的上升,砷(As)成分增加在as0.09sb0.91材料。
简介:本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。