简介：微弧氧化是一项在Al、Mg、Ti等阀金属及其合金表面原位生长陶瓷膜的改性技术，其工艺研究受到广泛关注。介绍了微弧氧化技术的基本原理及机理发展概况，分析了能量参数、电解液及基体材料等主要因素对铝合金微弧氧化陶瓷膜的影响，总结了陶瓷膜的相结构特征和主要性能特点，并展望了微弧氧化技术的发展前景。

简介：为了探讨镁合金微弧氧化的动力学影响因素，研究了氧化电压、氧化电流、电解液等对膜层生长的影响，发现这几个因素都是膜层生长的关键因素，在我们的工艺条件下，电流密度范围在0．2～0．3A／cm^2之间能获得较好的膜层。

简介：综述了添加不同颗粒对合金微弧氧化处理及所生成涂层微观结构的影响，重点介绍了颗粒添加后涂层力学性能、耐蚀性和装饰性等的变化，提出颗粒添加控制是调整微弧氧化处理的重要手段。

简介：以0．8mol·L-1Al（NO3）3·9H2O的乙醇溶液为电解液，用阴极微弧电沉积的方法在HR2钢表面制备出厚度约为69μm的氧化铝陶瓷涂层，通过扫描电子显微镜（SEM）观察了涂层的表面和截面形貌，通过x射线能量色散谱（EDS）及x射线衍射仪（XRD）分析了涂层的成分以及相组成，通过电化学综合测试系统分析了涂层的电化学腐蚀性能，结果表明：涂层表面粗糙多孔，与基体呈犬牙咬合状结合；涂层主要由旷Al2O3和rAl2O3组成；涂层中含有少量的Fe元素，表明膜／基界面附近的基体在微弧放电的作用下也参与了成膜；沉积氧化铝涂层后，样品的腐蚀电流密度降低了1个数量级，耐腐蚀性能得到提高。

简介：在磷酸盐电解液中添加一定浓度的钼酸钠，采用微弧氧化技术在5083铝合金表面制备出完整的氧化膜，研究了钼酸钠浓度对氧化膜性能的影响。利用SEM、EDS和XRD研究了氧化膜的表面形貌、成分和结构，并采用动电位极化曲线和电化学阻抗谱（EIS）评价氧化膜的耐腐蚀性能。结果表明：随着钼酸钠浓度的增加，氧化膜的厚度先增后减，氧化膜表面的微孔数量逐渐减少，表面更加平整致密；氧化膜主要由γ-Al2O3组成，钼酸钠浓度对氧化膜成分和结构影响不明显；微弧氧化陶瓷膜提高了铝合金基体的耐腐蚀性能，当钼酸盐的浓度为1．0g／L时，氧化膜具有最低的自腐蚀电流和最高的阻抗模值，表现出最优的耐腐蚀性能。

简介：基于Lindhard-Robinson模型，利用NPRIM和NJOY程序，模拟计算了4种典型辐照场景下，Ti、Ni、Fe、Cr和316L等常用材料的中子辐照损伤参数。计算结果表明，DPA产生速率和He产生速率与辐照场景的中子能谱关系紧密，Fe是比较好的耐中子辐照材料。

简介：镁合金系金属间化合物的强化机理主要有基体强化和晶界强化两种。目前在镁合金研究领域应用较为广泛的计算机模拟方法有第一性原理方法、蒙特卡罗方法、分子动力学方法等，介绍了国内外计算机模拟镁及镁合金微观组织结构的研究进展，探讨了镁合金模拟的发展方向。

简介：美国匹兹堡的Allegheny科技公司（ATI）收购了位于Billerica的动态流体计算软件集团。动态流体计算软件是采用准确的流体计算生产出一个薄壁的合金零件，例如，镍基合金和超合金，钛和钛合金，锆合金，以及不锈钢合金和特殊合金等。“我们己明确了动态流体软件产品的的今后发展方向，特别是将重点发展航空和石油、燃气市场。

简介：通过第一性原理计算可以预测材料的组分、结构与性能，设计具有特定性能的新材料，甚至可以模拟实验无法实现的工作。密度泛函理论巧妙地将电子之间的交换相关势表示为密度泛函，使得薛定谔方程在考虑了电子之间的复杂作用后，依然可以利用自洽的方法求解。利用CASTEP软件在不同机制下计算了立方氮化硼的能带结构、电荷密度分布、状态密度、折射率谱、反射率谱、吸收谱。

简介：利用热力学软件Thermal—Calc计算了Sanicro25耐热钢中的平衡态析出相，分析讨论了关键元素含量变化对析出相的影响规律。研究结果表明：增加钢中W、C含量可以升高M23C6的回溶温度以及增加M23C6的析出量，Cr、Co含量对M23C6的析出量没有明显影响；Cr含量越低，W含量越高，Laves相的回溶温度越高，析出量越大；Q、N含量越低，Nb含量越高，MX相的析出量越高；Nb含量越高，N含量越少，Z相的析出量越大；W、Cr含量越高，σ相析出量越大，回溶温度越高。

简介：基于局域密度近似（LSDA,Localspin-densityapproximation）和有效库仑相关能（Uapproach）,采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐（GdAlO3,GAP）电子结构,并研究了铽离子（Tb3＋）掺杂后（GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb）对能带带隙（Eg,Energyofgap）的影响。计算结果表明：GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带（VB,Valenceband）顶部的O-2p和导带（CB,conductionband）底部Al-3（s＋p）、Gd-（s＋d）（p）决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3＋的掺入,当掺入量为1/4原子比时（GAP∶Tb0.25）出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3＋的5D3-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁和5D4-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁。当掺入量为1/16时（GAP∶Tb0.0625）,仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合（荧光发射主峰对应5D4→7F5（544nm））。

简介：使用第一原理计算六方氮化硼和立方氮化硼在合成温度和压力（1200-2100K,4.0-8.0GPa）下的晶格常数.计算所得的六方氮化硼和立方氮化硼的晶格常数a与已有的实验值相吻合,相对误差分别为2.50%和1.53%.同时,六方氮化硼晶格常数c值的最大相对误差为7.53%,其误差也在合理的范围内.实验结果表明随着温度升高,六方氮化硼和立方氮化硼晶格常数缓慢升高;而随着压力升高,晶格常数线性降低.