简介：对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5．92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验，其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E，加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS／SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS／体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0．02-0．80Gy(Si)／s之间，它符合国家军用标准GJB762．2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时，电路所有表征参数在20min内测量结束。

简介：为使学生了解当代物理学的动向，有必要重新设计物理基础课程，要象当代物理学的发展一样，强调物理学形成过程及物理学史。

简介：以CMOS存储单元为研究对象，介绍了仿真在CMOS抗辐射加固集成电路单粒子效应机理及电路抗单粒子加固设计方面的研究进展，讨论了特征尺寸的缩小对单粒子辐射效应的影响，提出了利用交叉隔离和错误猝熄的方法改进传统存储单元的加固性能，并通过试验验证了该方法的有效性。

简介：谈论物理教学为何与何为，实验探究教学当是主要方面．“为何”就是怎么看，就是要在思想上提高认识；“何为”就是怎么做，就是要在实践上提高能力．因此，提升实验探究教学水平，要在“深切理解实验探究价值，提高自身实验探究水平，谋求有效的教学策略方法”几方面做足文章．1．深切理解实验探究的价值

简介：提高管理水平,加强实验室的管理

简介：采用与示波器同步的扫描场探测光磁共振，使光磁共振信号稳定；选择扫场的同一点(最好选在峰点或谷点)作参考点。有利于结合实际情况测地磁场水平分量BE11。

简介：通过牛顿粘滞定律和修正后的伯努利方程对非水平直圆管中黏性流体作层流运动时的流量公式进行了推导。指出将泊肃叶公式中的压强视作广义压强,则文中的推导公式与泊肃叶公式完全一致。说明泊肃叶公式可以用来求解非水平直圆管中黏性流体作层流运动时的流量。本文通过实验验证了推导公式。

简介：为在物理教学中培养学生的科学素质，做为物理教学改革的一个方面，我们在95．96两届本科生的大学物理课中用了《大学物理学》(音像文字结台教材)及配套的“电视插播片”。我们认为，如何运用好插播片，教师要下功夫做许多研究工作，要注入自己创造性的劳动，才能真正发挥它的作用，达到提高教学水平，培养学生科学素质和能力的目的。在教学实践中，我们做了以下几个方面的工作。