简介：文中针对当前通过在A1GaN层进行F－离子注入这种实现EAlGaN／GaN增强型HEMT器件的重要方法，建立其数值模型。对该方法F－起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释，对该方法的实现过程中的关键F－离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析，得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。

简介：本文将空间矢量调制型直接转矩控制（SVM—DTC）策略引入到同步电动机控制系统中，利用优化的空间矢量组合实现了转矩、磁链误差的精确补偿，同时保证了功率器件开关频率恒定。研究了基于改进电压模型的电励磁同步电动机定子磁链计算方法以及转子励磁控制方式。最后使用Matlab／SimuIink环境对所使用的方法进行了仿真验证。

简介：本文概述了电力电子与微电子的数字化、模块化和集成化三方面的对比；介绍了相关的系统集成技术的研究现状。

简介：在多年的研究基础上，由复旦大学牵头研制的光伏并网逆变装置，通过产学研转化，在“MW级高精度实时控制与电路优化”与“智能电网接入与新能源协调控制技术”等方面取得突破性技术成果，解决了高性能光伏并网发电的核心技术问题。

简介：本文研究了过压抑制电路的原理与特性,分析比对了几种过压抑制电路的工作特性。研究了HXD_2电力机车辅助变流系统的工作特性,利用Crowbar功率模块的技术特点实现在斩波系统中的过压抑制。本文重点描述了HXD_2机车Crowbar电路的电气结构、工作原理及设计准则,研制了样机并进行了分析试验。研究表明,过压抑制模块保护响应快,阀值设定可靠合理,对保护辅助供电系统过压有很好的作用。

简介：本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析，并在此基础上分别对两种典型结构槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现，在一定工作条件下，常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%，总功耗则降低约30%，将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造，在高频领域有着极好的应用前景。

简介：针对工程实践要求，简要分析了数字频率计和示波器的相关功能和设计原理，给出了基于AD8260大电流可变增益放大器而设计数字仪前端电路的工作原理及设计框图。最后详细论述了该数字分析仪前端电路的电路设计方法。

简介：2015年3月3日,为创建传统领域国际一流品牌,为跨界合作战略做好技术支撑,中信重工北京设计研究院暨智能控制系统联合实验室揭牌仪式在北京隆重举行。中科院自动化研究所所长王东琳先生,中科院自动化研究所副所长、党委副书记战超先生,中信集团总经理助理、中信重工董事长、党委书记任沁新先生,中信重工总经理、党委副书记俞章法先生出席仪式。

简介：根据目前移动通信体制的特点和手机的工作模式，给出了一种用于地震灾害中搜索被掩埋人员的救援系统的设计方法。该系统利用伪基站仿冒网络端要求被掩埋人员随身携带的手机发送IMSI，然后通过统计IMSI来获得被困人员的数量。结合天线方向图下倾技术和AOA定位方法，对信号源进行定位从而间接获取被压埋人员的位置信息。

简介：以IGBT、IGCT等为代表的新型电力半导体器件和模块，在我国空调、冰箱、通信电源和电机调速装置(变频器)等电器和设备中的应用日益广泛，对我国高效节能事业和自动化技术的发展起到很大的推动作用。但是，近些年的实践中，由于种种原因，这些新器件在运行中失效损坏的现象还屡有发生。为了介绍和交流

简介：

简介：1引言变频器作为一种变流器在运行过程中要产生一定的功耗。由于使用器件不同，控制方式不同，不同品牌，不同规格的变频器所产生的功耗也不尽相同。资料表明变频器的功耗一般为其容量的4～5％。其中逆变部分约占50％，整流及直流回路约40％，控制及保护电路为5～15％。10℃法则表明当器件温度降低10℃，器件的可靠性增长一倍。

简介：建设智能电网可以带来巨大的社会经济效益，助推产业结构升级，推进：审能减排和低碳经济目标的实现，促进社会和谐。本文从分析国外对智能电网带来的效益入手，结合我国的发展国情和对未来电力发展的规划，利用建立的智能电网渗透率模型，对电网产业链环节的经济效益、节能减排效益和社会效益进行评估。基于对智能电网发展效益评估的研究成果和结沦，为实现智能电网发展的目标提供可行路径和政策建议。

简介：由北京电力电子学会、中国电器工业协会电力电子分会、IEEE电力电子学会北京分会和浙江省嘉善县人民政府主办,北京华瑞赛晶电子科技有限公司、《变频器世界》杂志社承办的2004电力电子技术及应用年会暨第四届中国电力电子论坛于2004年10月28日-31日在浙江省嘉善县举行。与会代表170人,他们来自67个单位,其中外企有ABB半导体、ABB传感器、Semikom、CooperBussmann、Bussmann快熔、HuaDanInternationalAPS、AVX、Redivdlt/ExpressASIA等8家公司。在开幕式主席台上就座的特邀嘉宾有国家科技部高新技术司自动化处处长戴国强、中国

简介：1引言变频器中过流保护的对象主要指带有突变性质的、电流的峰值超过了过流检测值（约额定电流的200％，不同变频器的保护值不一样），变频器则显示OC（OverCurrent）表示过流，由于逆变器件的过载能力较差，所以变频器的过流保护是至关重要的一环。

简介：本文研究了基于两相静止坐标系中的三相电压源型PWM整流器的控制方案，引入广义积分器实现三相电流在两相静止坐标系下跟踪控制。仿真结果证明了文中所提出的控制策略的有效性和可行性。

简介：本文提出了一种电网不平衡条件下三相电压型PWM整流器的控制方法。首先,建立了三相电压型PWM整流器的数学模型,基于网侧单位功率因数及负载电压恒定的控制目标,建立了网侧电流给定方程组。其次,基于“三相不平衡abc静止坐标系”与“不平衡坐标变换”建立的dq解耦模型,采用输入-输出线性化的电流控制策略,实现了有功电流与无功电流的独立控制。仿真实验结果表明：文中所提出的控制策略是有效的。

简介：

简介：本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数（TC）。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑，并用一个实例验证了提出的模型。