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  • 简介:用同步辐射X荧光微束扫描技术测量了未经处理的,腹腔注射CdCl2的及注射后用新型的络合剂促排的三组Wistar大鼠的肾切片。结果表明Cd主要分布在肾的皮质部分,而髓质部分含量很低。用多元素统计分析探讨了元素间的关系;在正常鼠肾中,元素分布基本上聚类成两大类。其中微量元素Cu,Zn,Mn和Se为一类,它们在肾中的分布有较强的共位性,处于平均状态;急性中毒时,CdSe的距离最近。有较强的相互作用。其次是Ca,此时元素的分类不明显,平衡被打乱;中毒后用新药促排的Se和Zn强相关并聚为一类,其它元素间的相关性变弱,元素基本上又趋于分为两类。

  • 标签: 微量元素 多元统计分析 同步辐射微束扫描分析 元素位置分布 肾损伤 急性镉中毒
  • 简介:利用角分辨紫外光电子谱对乙烯和乙炔气体在Ru(1010)表面的吸附及K的共吸附的研究结果表明:当衬底温度超过200K,乙烯即发生脱氢反应,σCH和σCC能级均向高结合能方向移动。在室温下,σCH和σCC能级位置乙炔在Ru(1010)表面的吸附时的分子能级完全一致。乙烯发生脱氢反应后的主要产物为乙炔。衬底温度从120K到室温,Ru(1010)表面上乙炔的σCH和σCC能级均未发现变化。室温下乙炔仍然可以在Ru(1010)表面以分子状态稳定吸附。在有K的Ru(1010)表面上,室温时σCC谱峰几乎。碱金属K的存在促进了乙炔的分解。

  • 标签: C2H2 C2H4 K Ru(1010) 共吸附 UPS
  • 简介:利用同步辐射(BSRF)漫散射站四圆衍射仪,对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积(APCVD)生长的3C-SiC/Si(001)中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H(H为Hexagonal的缩写)结构。对3C-SiC外延薄膜,Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上,外延取向关系为:(001)3C-SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C-SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射,采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C-SiC孪晶所致,并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1%。

  • 标签: X射线四圆衍射仪 SiC体单晶 3C-SiC外延层 孪晶 APCVD 碳化硅