简介:通过自由基共聚的方法制备了聚偏氟乙烯-g-聚(N-异丙基丙烯酰胺)(PVDF—g-PNIPAAm)共聚物,进而采用浸没沉淀相转化法制备了PVDF—g—PNIPAAm共聚膜。采用超声时域反射法研究了不同凝固浴温度下PVDF—g-PNIPAAm的成膜动力学。结合PVDF—g—PNIPAAm的成膜动力学,研究了凝固浴温度对膜结构与性能的影响。结果表明,在不同凝固浴温度下,PVDF—g—PNIPAAm的成膜过程均由液液分相来控制,凝固浴温度为30℃时成膜时间最长,40℃时成膜时间最短;不同凝固浴温度下制备的PVDF—g—PNIPAAm共聚膜保持了PVDF的结晶特性,随着凝固浴温度的升高,结晶度降低。同PVDF—g—PNIPAAm共聚物相比,PNIPAAm在PVDF—g—PNIPAAm膜表面的含量更高,其中,30℃时所成膜表面的PNIPAAm含量最高。不同凝固浴温度下所成的膜均呈指状孔结构,其中,30℃下所成的膜指状孔最大,孔隙率最高。25℃下制备的PVDF—g—PNIPAAm膜具有明显的温度响应性能,其水通量在30℃附近有显著增加。
简介:美国加利福尼亚州圣克拉拉市的GlobalFoundries公司与一家为硅芯片提供光输入/输出(I/O)的初创公司AyarLabs宣布开展战略合作,共同开发和商业化硅光子技术差异化的解决方案。这两家公司将使用GF的45nmCMOS制造工艺开发和制造Ayar的新型CMOS光学I/O技术,这项技术提供了铜I/O的替代方案,可提供高达十倍的带宽和五倍的低功耗。这种经济高效的解决方案与ASIC作为多芯片模块集成在一起,可以提高云服务器,数据中心和超级计算机的数据速度和能效。作为协议的一部分,GF公司还在AyarLabs投资了一笔未公开的资金。
简介:利用水热法制备了不同Ni含量的ZnO(Zn1-xNixO)稀磁半导体材料,通过XRD、FESEM和VSM对产物的结构、形貌及磁性进行了分析与测试,探讨了反应时间对Zn1-xNixO材料结构及磁性的影响。结果表明,反应时间显著影响Zn1-xNixO的结构与磁性,随着反应时间的延长,样品的结晶质量下降,形貌由六方棒状结构转变为片状结构,同时磁性减弱。