简介：报道了近年来围绕激光辐照改变功能材料物理性质进行的探索和研究结果。研究发现:通过CO_2激光或准分子激光辐照,可以使一部分功能材料的介电、导电、磁性、压电、光学透过率、光致发光谱发生显著变化,材料形态有陶瓷、单晶和薄膜。涉及到的介电材料有:Ta_2O_5、BaTiO_3、Al_2O_3等;采用CO_2激光烧结,可以使Ta_2O_5陶瓷的介电常数提高近1倍(K>60),使(Ta_2O_5)_(1-x)(TiO_2)_x陶瓷的介电常数达到450,而介电损耗基本保持不变。涉及到的导电材料有:聚偏氟乙烯(PVDF)等;通过准分子激光辐照,可以使PVDF的电导率从10~(13)/Ω·cm提高到10~(-4)/Ω·cm数量级。涉及到的磁性材料有:LCMO和LBMO;通过CO_2激光辐照,可以使LCMO和LBMO薄膜的电阻温度系数提高近1倍。涉及到的压电材料有:LiNbO_3、BSKNN、BZT、PZT、NKN等;采用CO_2激光烧结,可以使某些材料的压电系数增大,可以使某些材料易于极化,可以使某些材料的相变温度提高。采用激光烧结技术,成功地烧结出Ta_2O_5、Al_2O_3、YAG等透明陶瓷。通过准分子激光辐照,可以使...

简介：用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法，在接近常压状态下，在氩气（Ar）和氢气（H2）的气氛中，以硅烷为源气体，在沉积区域加载脉冲负偏压对沉积过程进行调节，在基片上沉积得到具有荧光特性的含有Si纳米晶颗粒的SiOx薄膜，并在原气氛（Ar＋H2）中进行退火处理，SEM、TEM、FTIR、PL显示，退火后薄膜的网格结构被破坏，颗粒性更加明显，化学成分中Si—H减少，Si-O-Si增加，同时有少量si纳米晶粒析出，退火后的薄膜发光峰出现大幅蓝移，发光基团趋于单一，这与Si纳米晶粒的出现相对应。

简介：在无表面活性剂的条件下，通过水热法在三种不同的基底上制备了由纳米棒组成的花状氧化锌微结构，其纳米棒沿c轴方向生长。通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）对花状氧化锌微结构进行了表征。XRD测试结果表明ZnO为纤锌矿结构，扫描电镜照片表明ZnO微结构具有花状形貌。简单讨论了反应物浓度对花状ZnO纳米棒形成的影响及生长机理。

简介：使用分子束外延（MBE）技术生长Be掺杂的GaAs膜层,在此基础上,制备Au/GaAsSchottky二极管.另外,在Au与GaAs之间用原子层沉积技术（ALD）插入一层MgO绝缘层,研究不同掺杂浓度的GaAs对势垒高度及影响因子的影响,实验结果表明,Au/MgO/GaAs结构的肖特基势垒,随着掺杂浓度的升高而增大,影响因子呈现先降低后增加的趋势.

简介：基于密度泛函理论的第一性原理，结合广义梯度近似，对Mg、Al不同浓度掺杂的ZnO进行能带结构、电子态密度以及光学性质的研究，结果表明，由于Mg原子电子分布和Zn原子的差异，Zn-4s向高能端偏移，而价带基本保持不变，使得禁带宽度增大。由于Al的价电子比Zn多一个，掺杂Al使ZnO成为n型掺杂半导体，导致Zn0的导电性增大。从对二者的光学性质的分析可以看出，掺杂Mg后并没使ZnO的吸收谱的吸收边发生明显的移动，而掺杂Al使ZnO的吸收边向短波方向移动，发生了蓝移现象。

简介：采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）技术在不锈钢或玻璃衬底上制备微晶Si（硅）薄膜，研究沉积温度对PECVD法所制备的微晶硅薄膜性质的影响。从实验结果中可以看出，随着沉积腔内沉积温度的不断升高，微晶硅薄膜晶化率、晶粒尺寸在200-400℃范围内不断增加。当沉积温度为400℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸得到显著提高，当沉积温度超过500℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸反而略有下降。在本实验室条件下，沉积温度为400℃时十分有利于硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。

简介：以硅藻土为载体，通过共价结合法固定化碳酸酐酶。对制备固定化酶过程中的pH值、加酶量、反应温度、反应时间几个重要的影响因素进行了研究和优化，并对固定化酶和游离酶的酶学性质进行了比较。结果表明，固定化酶的最适反应温度为30℃，比游离酶高了5℃；最适反应pH值为6．0，比游离酶低了2个pH值单位。该固定化酶的热稳定性、酸碱稳定性和操作稳定性均高于游离酶。

简介：建立了复合铁电薄膜的理论模型，具有不同相变温度的铁电组分垂直于极化方向进行复合，引入局域分布函数描述不同组分间过渡层的性质，采用Ginzburg-Landau-Devonshire（GLDI）唯象理论展开研究。通过改变复合铁电薄膜的组分数量（2种和3种），主要研究了复合铁电薄膜的极化、相变及热释电性质，并与均匀铁电薄膜的相关性质进行对比。研究表明组分数量的变化对铁电薄膜的相变和热释电性质有着重要的影响。2组分复合而成的铁电薄膜与均匀铁电薄膜一样都只出现1个热释电峰，而3组分复合而成的铁电薄膜随着温度的变化出现了2个热释电峰。2组分薄膜的热释电峰和3组分薄膜中的1个热释电峰峰值较均匀铁电薄膜的热释电峰的峰值有所升高。

简介：随着对材料研究的逐渐深入，材料制备和材料分析的方法越来越重要，并且一些材料重要的物理性质是开展相关研究的基础。由于一些材料熔点高、难熔化，同时，传统手段无法避免容器壁的污染，或者无法在真空条件下进行试验避免气体的污染，或者由于实验性质原因只能测量特定的材料，这些方法很难测量材料在高温下过热过冷阶段的热物理性质。系统介绍了静电悬浮技术，这是一种新型的实现深过冷的方式，可以达到高温下对材料热物理性质进行测量的目的。静电悬浮技术使样品在两极板间悬浮，在悬浮的状态下采用激光对样品进行加热，使材料达到高温熔化，同时进行热物性的测量。对比了几种实现测量典型热物理性质的方法，了解静电悬浮的优势，并详细地介绍了静电悬浮技术对材料的熔体密度、热膨胀系数、表面张力和粘度系数以及比热的测量。

简介：最近，美国伊利诺斯大学厄本那一香槟分校一个研究小组开发出一种新奇的可调节纳米天线．利用电子扫描显微镜操控的等离子场增强产生机械运动，改变纳米天线间隙，使之重新排列组合。这也为将来开发新型等离子光机系统铺平了道路。相关论文发表在最近的《自然·通讯》上。

简介：通过第一性原理计算可以预测材料的组分、结构与性能，设计具有特定性能的新材料，甚至可以模拟实验无法实现的工作。密度泛函理论巧妙地将电子之间的交换相关势表示为密度泛函，使得薛定谔方程在考虑了电子之间的复杂作用后，依然可以利用自洽的方法求解。利用CASTEP软件在不同机制下计算了立方氮化硼的能带结构、电荷密度分布、状态密度、折射率谱、反射率谱、吸收谱。

简介：报导了CdS／ZnS纳米晶体（NCs）的制备过程和其光学}生质。通过采用连续离子层吸附和反应技术（SILAR），我们用少量的表面活性剂合成了不同壳层的四个样品，包括CdS核纳米晶以及具有1～3层ZnS壳的CdS／ZnS核／壳结构纳米晶体样品。发现具有一层ZnS壳的CdS／ZnS样品的荧光量子产率大约比未包覆壳层的CdS纳米晶体样品的强11倍。另外，随着壳层的增加（增至两到三层），荧光量子产率呈现下降的趋势。对样品进行了温度相关的光谱测量，发现CdS／ZnS和CdS一样具有特殊的光学特性。

简介：合成一种新型的脂环族三官能团环氧化物1，1-双（2，3环氧环己基氧甲基）-3，4-环氧环己烷（Ⅱ）及其母体1，1-双（2-环己烯基氧甲基）-3-环己烯。它的化学结构己被红外光谱，元素分析及氢核磁共振所验证。当使用1，3，5-三乙基六氢-均-三嗪作促进剂，4-甲基六氢苯二甲酸酐为固化剂时，Ⅱ可以很容易被固化。固化物的物理性质用热机械分析、热解质量分析法及动态机械分析来检测。在同样固化条件下，将Ⅱ与巳商业化的二环氧化物ERL-4221作比较。Ⅱ的固化物有较高的玻璃化温度（198℃），较高的交联密度（2.08×10^-3mol/cm^3)及较低的热膨胀系数（6.2×10^5/℃），Ⅱ在现代微电子应用中将是一种非常有前景的封装材料。