简介:<正>据物理学家组织网6月15日报道,最近,美国斯坦福和南加州大学工程师开发出一种设计碳纳米管线路的新方法,首次能生产出一种以碳纳米管为基础的全晶片数字电路,即使在许多纳米管发生扭曲偏向的情况下,整个线路仍能工作。
简介:<正>近日,日亚化学工业股份有限公司宣布将会把应用于汽车显示器(HUD)的蓝色(B)和绿色(G)半导体激光二极管产品商业化。日亚化表示,虽然目前各种半导体激光二极管已实现商业化,但这将是市面上第一个车用的蓝色和绿色产品。公司计划从2014年10月开始出样品,并在2015年10月进行量产。据日亚化介绍,和使用LED相比,通过使用红色、绿色和蓝色半导体激光二极管,
简介:
简介:<正>恩智浦半导体(NXPSemiconductorsN.V)近日推出首款采用1.1-mm×1-mm×0.37-mm超薄DFN(分立式扁平无引脚)封装的晶体管。全新产品组合由25种器件组成,其中包括低RDsonMOSFET以及可将电流能力最高提升至3.2A的低饱和通用晶体管。该全新产品系列凭借其超小外形和高性能,非常
简介:在本文中,我们提出了一个稳定的单光子探测方法基于硅雪崩光电二极管(硅雪崩二极管)在盖革模式具有较大的温度变化范围内操作。通过精确的温度传感和直流(DC)电压补偿,单光子探测器可以稳定工作在盖革模式from-40°C至35C°具有几乎恒定的雪崩增益。它为单光子探测在全天候条件下的户外作业提供了一种解决方案。
简介:<正>OFweek光电新闻网和OFweek电子工程网在深圳联合主办了2013电子行业年度评选活动,英飞凌科技公司产品40VOptiMOSTMT2功率晶体管荣获了技术创新奖。英飞凌科技(中国)有限公司汽车电子事业部市场总监杜曦先生出席了颁奖仪式并代表英飞凌领取了该奖。
简介:2007年1月29日,英特尔公司宣布在基础晶体管设计方面取得了一个最重大的突破,采用两种完全不同以往的晶体管材料来构建45nm晶体管的绝缘“墙”和切换“门”。在下一代英特尔。酷睿TM2双核、英特尔一酷睿TM2四核以及英特尔。至强。系列多核处理器中,将置人数以亿计的这种微观晶体管或开关。英特尔公司同期宣布已有5种早期版本的产品正在运行,这是公司计划中的15款45nm处理器产品的第一批。
简介:意法半导体推出最新的MDmeshDk5功率MOSFET管,内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管,这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效,包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。
以碳纳米管为基础的全晶片数字电路首次研制成功
日亚化将推出应用于汽车显示的蓝绿半导体激光二极管
碳纳米管(CNT)场致发射显示(CNT-FED)屏的均匀性获重大突破
东京大学利用喷墨技术开发出通道长为1m的有机晶体管
恩智浦推出首款采用1.1-mm2无铅塑料封装的3A晶体管
基于硅雪崩光电二极管的稳定单光子探测在大范围内的变化
国内软件上市公司高管薪酬大披露--何经华以500万元年薪名列首位
飞兆半导体推出具有业界最小外形尺寸封装的高集成度数字晶体管
英飞凌发布输出功率为300W的新一代手机基站装置用LDMOS晶体管
英飞凌40 V OptiMOSTM T2功率晶体管荣获OFweek2013电子行业年度技术创新奖
英特尔发布晶体管技术重大突破为40年来计算机芯片之最大革新
ST推出新款的MDmesh MOSFET内置快速恢复二极管提升高能效转换器的功率密度