简介:SiGe(硅锗合金)BiCMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGeHBT的关键工艺模块,包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种SiGeBiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺,进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究,并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。
简介:对于有机薄膜器件(包括有机电致发光器件(OLED)和有机场效应晶体管(OTFT)),器件的电流机制直接决定了器件的性能,因此深刻理解其相关机理是十分必要的。虽然对于有机薄膜器件的电学性能研究较早,但是由于器件结构及有机薄膜内部影响机制的复杂性使得不同学者的研究结果很不一致。为此,文章以相同的镁银合金(MgAg)为电极,有机电子传输及发光材料八羟基喹啉铝(Alq3)为有机功能层,深入研究了MgAg/Alq3/MgAg器件的电流机制。测试及拟合结果表明,该器件为单电子器件,器件的电流属陷阱电荷限制电流机制。不同温度下的测试结果表明,随着温度增加器件电流迅速增加,这是因为随温度增加,器件中载流子的浓度和迁移率呈指数上升。
简介:摘要如今我国越来越重视教育的发展。当今社会已经处与信息化时代,所以教育由传统模式向信息化模式转型已经成为一种趋势,但是由于目前仍旧处于信息化教育建设的初级阶段,尚且缺乏科学条理的理论来指导其发展,所以很多学校在信息化建设的道路上面临了很多的困难,尤其是一些贫困的地区学校的信息化建设更是坎坷,所以本文将先分析如今校园信息化建设的现状,并根据如今学校信息化建设所存在的问题制定出一份科学可行的方案,希望能够给我国的学校信息化建设提供一定的借鉴。
简介:<正>根据德国一项调查显示,2010年全球纳米技术创造的市场将达1万4400亿美元,而即将于今年七月十日创刊的日本《周刊纳米技术》编辑部所做的调查,则推估2010年纳米技术全球市场规模约为167亿美元,虽然两者数字差距颇大,但从绝对值来看,却是十分诱人。由于纳米技术应用领域相当广泛,包括材料科学、生命科学、信息电子、能源科学及环境科学等,目前世界各主要国家都争相发展纳米科技,纳米技术俨然成为下一代最重要的新兴关键科技。日本是全球最早投入大量资源从事纳米技术研究开发的国家之一,从目前的基础研究与应用成绩来看,日本在纳米技术总体实力领先欧美,甚至在许多领域还凌驾于美国之上,纳米碳管及纳米锥角(CarbonNanoHorn)都是由日本科学家饭岛纯男首