简介:三星电子日前宣布,公司已开始通过第二代10nm级工艺量产DRAM内存芯片。三星称,公司使用第二代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片,实现了新的突破。2016年2月,三星已使用第一代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片。
简介:随着各穿戴式装置业者不断进行创新与发展,调研机构IDC预估,2017年全球穿戴式装置出货量将年增16.6%,达1.22亿件。
简介:在近日召开的IEEE国际电子设备会议上,IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果,这将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。
简介:2015年12月7日,Garner数据显示,2015年Q3全球智慧手机销售量达3.53亿部,较2014年同期增长了15.5%,在智慧手机销售量前5名的企业中,中国占了3席。其中三星以8,358万部的销售量、23.7%的全球市场占有率位列第一。苹果、华为、联想和小米的销售量分别为4,606万、2,726万、1,743万和1,719万部,全球市场占有率分别为13.1%、7.7%、4.9%、4.9%。
简介:根据2014年Gartner公司数据,2014年第一季浪潮服务器出货量80929台,市场份额19%,位居中国第一、全球市场第五,同比增长288%,这不仅意味着浪潮成为中国有服务器以来第一个夺得市场第一的本土厂商,也成为该季度全球增长最快的厂商。
简介:全球电子行业三驾马车目前看来只有智能手机还在保持稳定增长态势,PC和家电的增长已经近乎陷入停滞,未来一年也仍然难以看到好转迹象。
简介:据报道,三星电子将从7月份开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。新设施是全球规模最大的芯片工厂,占地289万平方米。三星将在该工厂量产第四代3DNAND闪存芯片,该芯片垂直堆叠达到64层。据报道,三星已要求合作伙伴在5月底之前供应必要的芯片制造设备。
简介:日前,三星电子宣布从7月份开始正式量产适用于新一代高端移动设备的,具备全球最高运行速度的64GB内嵌式存储器产品。据悉,三星电子继2012年5月推出的20纳米级64GBToggleDDR2.0NAND闪存之后,
简介:OmniVision日前推出全球第一款113英寸8百万画素CMOS影像传感器。全新的OV8810是该公司第一款使用最新推出的1.4微米0mniBSI^TM背面照度技术所研发的CameraChip产品。1/3英寸的OV8810体积小到足以纳入8.5×8.5×7mm的相机模块当中,并且可以用每秒10个讯框(fps)的速度以最高的8百万画素分辨率输出数据。
简介:美国半导体行业协会(SIA)的发布资料显示,2016年7月全球半导体销售额为278.08亿美元(3个月的移动平均值,下同),环比增长2.6%。
简介:三星电子日前宣布,已经成功实现了20nm工艺试验芯片的流片,这也是迄今为止业内最先进的半导体制造工艺。三星电子此番利用了美国加州电子设计自动化企业CadenceDesignSystems提供的一体化数字流程RTL—to—GDSII。
简介:Cymer宣布全球首款场选择60W-90W沉浸式光源——XLR600ix已集成至Nikon扫描光刻机,并成功在一家大型亚洲芯片商中投入使用。该里程碑标致着此类光源得到了主流芯片商的采用,并表明芯片商对于CymerXLR平台的认可。
简介:2015年全球刚性覆铜板的市场变化的最大特点,是陷入负增长。未来几年内全球刚性覆铜板市场前景还是乐观的,除中国大陆和日本的亚洲其他地方的覆铜板市场值得关注。
三星开发出全球最小DRAM内存芯片速度提升10%
2017年全球穿戴式装置出货量达1.22亿件
全球首个不到10nm的碳纳米晶体管问世
2015年Q3全球智慧手机较2014年同期增长15.5%
浪潮服务器中国市占第一全球市占第五
全球电子业仅智能手机增长PC家电零增长
耗资136亿美元三星全球最大芯片工厂将在7月开始运营
三星电子量产全球最高速64GB内嵌式存储器
OmniViSion推出全球首款1/3英寸的8百万画素传感器
2016年7月全球半导体销售额时隔约3年再次实现高增幅
三星成功流片全球第一颗20nm工艺试验芯片
全球首款场选择60W-90W沉浸式光源被亚洲大型芯片商采用
2015年全球刚性覆铜板市场及未来发展——路板市场产业链硏究系列论文之一