简介:现在多晶硅晶锭生长工艺的主要特点是:长晶方向为由下往上,这就使得分凝系数大于1的极少部分金属原子及氧原子集中分布在晶锭底部,大部分分凝系数小于1的金属原子及大部分非金属原子分布在铸锭的顶部,这使得少子寿命呈现低部和顶部低、中间高的分布趋势;同时,由于坩埚及SiN粉末中金属杂质的扩散,多晶硅晶锭四周晶棒靠坩埚面少子寿命偏低。目前国内外关于电池片的少子寿命与电池质量关系的研究报道很多,但是尚没有把多晶硅晶锭生长、晶锭不同位置对应硅片少子寿命,以及晶锭不同位置对应电池片质量相关联起来的研究报告。本文通过精细的试验安排、测试分析及总结,把多晶硅晶锭生长、晶锭不同位置对应硅片少子寿命及其对应电池片质量相互关联起来,同时找到了电池端电池片质量差异较大的最根本原因,并且通过试验从根本上给出了提高电池端电池片质量稳定性的方向,提高多晶收率的同时提高了电池片平均效益0.2%。
简介:窄空间只有在间距小于汽泡脱离直径时,对沸腾传热强化才有比较显著的效果.窄空间沸腾强化传热的机理在于较大的泡底微层加速了蒸发传热和窄空间中被加热的液体周期性地与池液进行容积交换.水平圆盘窄空间中的汽泡生长分为性质完全不同的自由生长期和抑制长大期;在一个周期内,加热面的总传热量等于壁面传导给窄空间液体的热量与通过合体泡底微层蒸发潜热之和.在对圆形水平窄空间的沸腾传热的现象和机理进行分析的基础上,提出了窄空间的沸腾换热过程的数理模型;进而对窄空间沸腾的本质规律在理论上进行了初步探索,并得到分析解.理论计算结果与实验数据比较表明,该分析解适合于中低壁面过热度的情形.由于问题的复杂性,该模型仍需不断完善.