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  • 简介:选取不同煤化程度五种煤样并制成600℃和800℃半焦,应用同步辐射小角X射线散射研究了其亚微马孔隙结构,得到孔径分布、孔隙率、比表面、分形维数等许多结构参数,讨论了这些参数变化规律。

  • 标签: 孔径分布 孔隙率 比表面 分形维数 半焦
  • 简介:以超临界CO2为溶胀剂所制备PET/PS共混物小角X-射线散射(SAXS)研究表明,PET/PS共混物结构参数与共混物组成及热历史密切相关。按Vonk一维电子密度相关函数法,得到共混物结构参数。过度层厚随PS组分含量增加而增加,结晶片层厚却随PS含量增加而降低。热处理可提高共混物结晶性。内比表面积随PS含量增加而增加是PS使PET韧性和抗冲击性能提高本质原因。

  • 标签: 超临界流体 相区尺寸 超临界CO2 PET PS 共混
  • 简介:利用同步辐射(BSRF)漫散射站四圆衍射仪,对SiC体单晶结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积(APCVD)生长3C-SiC/Si(001)中孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H(H为Hexagonal缩写)结构。对3C-SiC外延薄膜,Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上,外延取向关系为:(001)3C-SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C-SiC{111}极图在x=15.8°出现了新衍射,采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002Mapping分析了x=15.8°处产生衍射为3C-SiC孪晶所致,并利用ω扫描估算了孪晶含量约为1%。

  • 标签: X射线四圆衍射仪 SiC体单晶 3C-SiC外延层 孪晶 APCVD 碳化硅
  • 简介:采用X-射线吸收近边结构(XANES)和扩展X-射线吸收精细结构(EXAFS)技术,对用不同原料盐和不同焙烧温度制得Co/γ-Al2O3催化剂中钴微观结构进行了详细表征。XANES结果表明,以硝酸盐为原料盐于500℃焙烧样品Co(N)-500,其Co-K边近边结构与标样Co3O4相似,而其它样近边结构则与标样CoAl2O4相似。随焙烧温度提高。在吸收边前弱吸收峰(1s→3d)逐渐增强。在吸收阈值处,主吸收峰(1s→4p)分裂变得更明显,950℃焙烧样品,在主吸收峰上升过程中出现了肩峰(1s→4s)。这些特征表明,样品中钴主要以Co^2+离子形式存在。钴离子与载体作用加强,使非化学计量尖晶石相在结构上与化学计量CoAl2O4越来越接近。EXAFS结果表明,样品Co(N)-500中,钴主要以Co3O4形式存在。其第一配位壳层Co-O配位数明显低于标样Co3O4,说明该相具有较高分散性。其它所有样品中,钴主要以非化学计量尖晶石相存在,其第一配位壳层Co-O配位数随焙烧温度从500℃提高到950℃,与标样CoAl2O4越来越接近;相同焙烧温度下,从醋酸钴制得Co(A)系列样品更容易形成Co-Al尖晶石相。XANES和EXAFS结果很好地说明了前文中样品对CO氧化和乙烯选择还原NO反应活性规律。

  • 标签: 氧化态 反应性能 微观结构 Co/γ-Al2O3催化剂 XANES EXAFS
  • 简介:采用Czochralski法,我们成功地生长了大尺寸GdCa4O(BO3)3单晶。在对晶体完整性进行检测过程中发现:晶体中存在亚晶界,该晶界贯穿整个大单晶。由于亚晶界两边单体存在取向差,在同步辐射形貌像中可观察到像漂移。根据高分辨X射线衍射所确定取向差,我们计算了对应几个典型衍射形貌像漂移,计算结果与从形貌像中测量结果符合得很好。

  • 标签: GdCa4O(BO3)3晶体 小角晶界 同步辐射 形貌 像漂移 非线性光学晶体
  • 简介:用同步辐射原位高压能散X射线衍射技术,对碳纳米管进行了结构和物性研究,压力达50.7GPa。在室温常压下,碳纳米管结构和石墨hcp结构相似,其(002)衍射线面间距为d002=0.3404nm,(100)衍射线面间距为d100=0.2116nm。从高压X射线衍射实验看到,当压力升到8GPa以上,(002)线变宽变弱,碳纳米管部分非晶化。而当压力从10GPa或20GPa卸压至零,(002)线部分恢复。但当压力升至最高压力50.7GPa时,碳纳米管完全非晶化,而且这个非晶化相变是不可。我们用Birch-Murnaghan方程拟合实验数据,得到体弹模量为K0=54.3±3.2GPa(当K’0=4.0时)。

  • 标签: 碳纳米管 X射线衍射 同步辐射 结构
  • 简介:本文利用XAFS方法研究机械合金化方法制备Fe100-xCux(x=0,10,20,40,60,70,80,100,x为原子百分比)合金中Fe、Cu原子局域环境结构随组成变化。对于Fe100-xCux二元混合物,当x≥40时,Fe原子近邻配位结构从bcc转变为fcc,但Cu原子近邻结构保持其fcc不变;与之相反,当x≤20时,Fe原子近邻配位保持bcc结构而Cu原子近邻配位结构从fcc转变为bcc结构。XAFS结果还表明fcc结构Fe100-xCux中Fe无序因子σ(0.009A)比bcc结构Fe100-xCux中σ(0.081A)大得多;并且在同一机械合金化Fe100-xCux(x≥40)样品中Fe原子σ(0.099A)比Cu原子σ(0.089A)大。这表明机械合金化Fe100-xCux样品中Fe和Cu原子可以有相同局域结构环境但不是均匀过饱和固溶体,而是fcc或bcc合金相同时存在Fe富集区和Cu富集区。

  • 标签: 局域环境结构 XAFS Fe100-xCux合金 机械合金化 铁铜合金
  • 简介:同步辐射软X射线(白光)对InP表现进行了辐照。并对样品表面电子结构作了UPS和XPS分析。结果显示,样品表面电子态变化明显,P3a峰化学位移大于In4d峰。与In非键合P2p峰面积辐照后显著增加。说明软X射线对InP表现F原子电离损伤要大于In原子。

  • 标签: 软X射线 INP 表面微结构 磷化铟 半导体 电离损伤
  • 简介:用溶胶-凝胶方法合成了掺铒(掺杂浓度10^20/cm^3)二氧化硅玻璃。在室温下可产生1.54μm波长红外荧光。实验结果表明:荧光强度随掺杂浓度不同而改变,并在0.5W%掺杂浓度下出现最大值。当温度从4K升至300K时,荧光强度下降了74%。通过FT-IR和EXAFS检测,Er离子与O组成了配位数为8或9配位结构。

  • 标签: 发光性质 溶胶凝胶方法 掺铒玻璃 EXAFS FT-IR光谱 二氧化硅玻璃
  • 简介:LiGaO2与GaN晶格失配率只有0.2%,是一很有潜力蓝光衬底材料。本文利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中缺陷进行了分析,研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量影响及其和晶体中缺陷形成关系。TEM分析表明,由于原料近非化学计量比挥发致使组份偏离,容易产生γ-Ga2O3包裹物。包裹物和位错形成具有一定相互促进作用。X射线貌相分析发现提拉法生长LiGaO2晶体中易于形成平行于(001)面的亚晶界,这可能和其沿[001]方向极性有关。

  • 标签: GAN 外延衬底材料 LiGaO2晶体 X射线貌相术 氮化镓 TEM
  • 简介:用延展X光吸收精细结构光谱(EXAFS)研究了重金属Zn(Ⅱ)在水锰矿(Y-MnOOH)上吸附产物微观结构及其吸附机制。结果表明,Zn(Ⅱ)-水锰矿体系中(pH7.5,0.1MNaNO3介质,25℃),Zn(Ⅱ)离子主要是通过Zn-O键结合到水锰矿固体表面上,平均Zn-O原子间距为1.9984-0.010A(n=3)。同时,第二配位层(Zn-Mn相互作用)EXAFS图谱解新证明存在两个典型Zn-Mn原子间距,即R1=3.08±0.024A(n=3)和R2=3.54±0.018A(n=3)。这两个Zn-Mn原子距分别对应于水锰矿结构单元MnO6八面体与Zn水合离子ZnO多面体结合两种方式,即边-边结合与角-角结合。边-边结合是较强吸附位,Zn-Mn原子距较短(Rl=3.08A),吸附较不可逆。角-角结合是较弱吸附位,Zn-Mn原子距较长(R2=3.54A),吸附较为可逆。宏观吸附一解吸热力学实验表明Zn(Ⅱ)在水锰矿上吸附是不可,EXAFS结果指出这种不可逆性主要是由Zn水合离子中Zn0多面体与水锰矿结构单元MnO6八面体之间边-边结合所导致

  • 标签: EXAFS ZN 水锰矿 吸附-解吸机制 光谱 同步辐射技术
  • 简介:红外吸收光谱表明样品中含片状和分散状分布杂质氮,属Ia型金刚石。利用同步辐射对晶体进行了形貌学研究,在近完整晶体内近中心(001)和(010)结晶学平面内观察到生长带,生长方向平行于(111)和(111)。在欠完整晶体内小角度晶界发育,取向角达2.5°以上。晶体完整性与氮含量无明显相关关系。

  • 标签: 天然金刚石 生长结构 同步辐射 形貌 红外吸收光谱
  • 简介:用微米束同步辐射X射线荧光法(μ-SRXRF)对国际原子能机构(IAEA)研制可用于核技术微量分析两种固体微量生物标准参考物地衣IAEA-338和海藻IAEA-413样品中各种微量元素进行了检测,并对这种标准参考物均匀性进行了检验。结果表明:这两种微量固体生物标准参考物均匀度达到了预定指标。

  • 标签: SRXRF 同步辐射X射线荧光法 微量生物标准参考物 均匀性检验 核技术 微量分析
  • 简介:同步辐射已经成为高压研究一个非常理想光源。在北京同步辐射装置(BSRF)上、结合金刚石对顶砧超高压实验技术建立起来能量色散X射线粉末衍射系统,已用于物质状态方程和结构相变研究。介绍了能量色散衍射方法,以及同步辐射原位测试过程。

  • 标签: 同步辐射 高压条件 能量色散 X射线粉末衍射 原位测试 晶体结构
  • 简介:X射线干涉测量技术是以非常稳定亚纳米量级硅单晶晶格作为基本长度单位,以建立纳米级长度基准,从而实现纳米级精度测量、校验等功能。由于其在纳米测量范围内特殊优越性,因而近年来该技术得到了迅速发展。该技术前提是X射线干涉技术实现。根据X射线干涉特点,并考虑到X射线吸收特性,用单晶硅制出了LLL型X射线干涉器件。在北京同步辐射实验室(BSRL)4W1A束线上选择17.5Kev能量同步辐射光进行了X射线干涉实验,在拍摄底片上比较清楚地观察到了X射线干涉条纹。

  • 标签: 17.5Kev同步辐射光 干涉技术 X射线干涉测量技术