简介:报告对美国QuantumDesign公司全新推出的集磁、电和热等测量功能于一体的新型VSM-VersaLab进行介绍,并对该仪器进行现场演示。仪器内置3T超导磁体、温区为50~400K,全程运行无需液氦或液氮。设备能进行高达10~(-9)A·m~2灵敏度的磁测量,以及全自动的电学、热学测量。和所有其他的QuantumDesign公司产品相同,VersaLab也是全自动操作系统,具有用户友好的界面。VersaLab是特别设计用来进行低于3T和宽温区无液氦的物性表征的专用仪器,该系统运用了QuantumDesign的PPMS~(?)中的非常成熟的技术而特别制作出一类经济型的PPMS,可以给使用者带来全新的感受:3T超导磁体,全自动测量大大节约测量时间;体积小,便携型产品,可减少实验室空间的占用(86kg);无需冷却水,低能耗;整个实验过程中无需液氦或液氮;集电学、磁学、热学测量于一体。
简介:基于局域密度近似(LSDA,Localspin-densityapproximation)和有效库仑相关能(Uapproach),采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐(GdAlO3,GAP)电子结构,并研究了铽离子(Tb3+)掺杂后(GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb)对能带带隙(Eg,Energyofgap)的影响。计算结果表明:GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带(VB,Valenceband)顶部的O-2p和导带(CB,conductionband)底部Al-3(s+p)、Gd-(s+d)(p)决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3+的掺入,当掺入量为1/4原子比时(GAP∶Tb0.25)出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3+的5D3-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁和5D4-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁。当掺入量为1/16时(GAP∶Tb0.0625),仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合(荧光发射主峰对应5D4→7F5(544nm))。