简介：

简介：在工业大功率应用领域已经推出了多种类型（对称，非对称以及逆向导通）的门极换流晶闸管（GCT）器件，为了用它来实现更高性能、更加合适的系统，人们期望对门极换流晶闸管展开进一步的研究，本文提出了对称门极换流晶闸管的一种新方案。

简介：近年来．随着国家对食品、药品等产品安全管理的日益关注，如何建立一个完善的产品追溯体系已经被提上了企业的议事日程。企业的追溯体系主要实现两项目标：一是自上而下进行追踪，即从原材料供应商、生产管理、成品、物流、经销商至终端消费者可进行产品销售渠道及质量管理的追溯；二是自下而上进行追溯，可由消费者向上追溯查找问题所在。

简介：本文提出一种基于开放式变压器的新型模块组合多电平变换器（MMC）。与传统MMC的两个桥臂电感串联连接在各相桥臂内以抑制环流不同，本文提出的新型MMC中，两个桥臂电感由变压器替代。该拓扑不仅可以抑制环流，同时可降低一半的直流母线电压，因此，与传统MMC相比功率开关器件的电压定额可降低一半。本文提出的新型MMC拓扑可应用于电机传动和输电系统，仿真和实验结果验证了该拓扑的可行性。

简介：

简介：本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。

简介：VishayIntertechnology，Inc．发布采用其新型P通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP，该20VP通道MOSFET采用SO-8封装．具备业内最低的导通电阻。

简介：英飞凌科技股份有限公司宣布其位于中国北京经济技术开发区的全新子公司——英飞凌集成电路（北京）有限公司正式开业。新公司注册资本1．500万美元．将进一步加强公司对高能效、移动性和安全性的关注，体现了英飞凌对中国市场的长期承诺。

简介：随着我国改革开放的逐渐深入，蓬勃发展的电子工业已成为中国工业发展的支柱、投资的热点。新兴的一大批外资、国有、民营企业矗立于全国各地，为了解这些企业、宣传推广它们的产品和技术，使它得以更快、更大的发展，应上级主管部门、供销各方的要求将编辑出版2005-2006年版中英文对照《印制电路、表面贴装，洁净技术企事业名录、设备，材料采购手册》（上、下册）。

简介：英飞凌科技股份公司近日推出新型低饱和压降VCE（sat）IGBT。此类IGBT专门针对50Hz至20kHz的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源（UPS）以及光伏逆变器和逆变焊机中。新L5系列基于TRENCHSTOPtM5薄晶片技术，使本来就很低的导通损耗因为载流子结构的优化得到了进一步降低。

简介：

简介：在一些文献中讨论到的基于MRAS的感应电机无速度传感器矢量控制方案存在着纯积分、不稳定以及低速下对定子电阻值较为敏感等问题。在本文中，我们设计出一种基于电流估计的新型、稳定的MPAS速度和定子电阻观测器。这些观测器不客是单独使用不是同时使用，在各种工作模式下都是稳定的，其设计程序遵循线性控制理论。仿真和实验结果证明了这些观测器的稳定性。

简介：跟踪IGBT芯片能够在高达175℃的温度下工作这一最新发展趁势，已经研制出有相同工作结温的续流二极管和整流二极管。三种类型的芯片全部封装到CIB(整流-逆变-制动斩波)模块(MiniSKiiP的第二代产品)中，导致了较高的电流密度，在过载和动态负载条件下有十分可观的余量，而且也改善了功率循环能力。

简介：本文仅论述与平面技术有关的研究。这项研究的目的是介绍一种采用平面技术的小体积、适合高温应用的电源的设计方法。此种方法被用于降压变换器设计。它的适用性用试验结果来证实。

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简介：扼要介绍复合叠层的加工技术、特征、应用及发展前景。

简介：介绍圆片级封装的设计考虑、基础技术、可靠性、应用情况及发展趋势。

简介：主要叙述纳米技术、纳米材料、量子器件及其应用。

简介：本文叙述了表面组装技术（SMT）对PWB的要求，表面组装元器件（SMD）封装密度提高与引出端增多，使PWB导线宽度/间距/导通孔孔柱向微细化的积层多层（BUM）印制板发展。功率器件组装用的PWB，要求具有更高的热导率，直接键合铜箔（DBC）的陶瓷覆铜板与金属基覆铜板，将是高热导率PWB的主要基材。最后指出，生产无污染的“绿色型”PWB代替目前最常用的对环境有污染的阻燃型PWB，将是近期的发展方向。