简介:8月16日,中国电力投资集团(下称"中电投")获得5个项目的最低价,共计150兆瓦,超过总标的的半数。这意味着,若此番仍以"价低者得",中电投则成为最大赢家。值得注意的是,上次的中标企业中国广东核电集团(下称"中广核")此次也参与了所有项目竞标,竞标均价约在1元左右。目前,价格标尚未开出,报价方案将经过评委会委员审查后,再行公布。
简介:
简介:在过去约10年来,SMT界的在线工艺检验技术发展的十分快,自动化检验设备如DAOI(自动光学监测)和AXI(自动X射线检测)技术蓬勃发展。到了最近几年来,更是扩展到锡膏印刷的检验上,也就是SPI(锡膏印刷检测)技术。监测技术的应用,并不能带给产品附加值,也就是说一个产品的制造质量,并不会因为经过检验而更加好。那为什么业界对检验技术如此的依赖呢?原因就在于目前许多制造技术以及质控技术,并未能达到客户对产品质量要求的水平。
简介:LTCC基板互连金属化孔工艺技术是低温共烧陶瓷工艺过程中的关键技术,它直接影响陶瓷基板的成品率和可靠性。文章从影响互连金属化孔的因素出发,介绍了金属化通孔填充工艺及控制技术、金属化通孔材料热应力的影响、金属化通孔材料收缩率的控制等三方面技术,并给出了如下的解决方案。采用合适的通孔填充工艺技术和工艺参数;合理设计控制通孔浆料的收缩率和热膨胀系数,使通孔填充浆料与生瓷带的收缩尽量一致,以便降低材料的热应力;金属化通孔烧结收缩率的控制可以通过导体层的厚度、烧结曲线与基板烧结收缩率的关系、叠片热压的温度和压力等方面来实现。
简介:采用DOE(实验设计)方法,通过比较铝线拉力的数值、标准方差及PpK,得到最适合铝线键合工艺的等离子清洗功率、时间和气流速度参数的组合。同时分析了引线框架在料盒中的摆放位置对等离子清洗效果的影响,引线框架置于等离子气体浓度高的位置清洗效果较好,引线拉力值能获得更低的方差和更优的过程控制能力。
简介:摘要近年来,随着我国汽车制造业的不断发展,汽车装配工艺也得到了不断的发展。汽车装配工艺在汽车制造过程中占据着重要地位,直接影响着汽车制造质量。对此,本文从提高客车装配质量入手,分析现有装配工艺的优劣,并针对装配工艺不足提出改进对策,以便进一步提高客车装配工艺水平,保证汽车制造的整体质量。
简介:伴随着CMOS工艺技术的发展,CMOS电路已经成为VLSI制造中的主流,而CMOS器件特征尺寸的快速缩小和CMOS电路的广泛应用,使得CMOS电路中的latch-up效应引起的可靠性问题也越来越受到大家的重视。阐述了CMOS工艺中闩锁的概念、原理及其给电路的可靠性带来的严重后果,深入分析了产生闩锁效应的条件、触发方式,并针对所分析的闩锁原因从版图设计、工艺改良、电路应用三个方面提出了一些防闩锁的优化措施,以满足和提高CMOS电路的可靠性要求。
简介:摘要我国现代化的汽车制造业随着科学技术的发展与进步,汽车在设计方面不仅对汽车的安全性与舒适性有着较高的要求,而且随着环保意识不断的增强,汽车的设计也向着低碳环保的方向不断地发展。因此,为了设计出符合现代化要求的汽车,汽车在设计时通过对车身进行设计、减轻车身的重量等创新的设计工艺与制造工艺技术不断的相继涌现出来,为汽车制造业的快速、蓬勃发展增添了支持与动力。本文针对当前汽车行业在对汽车的车身设计与制造工艺技术展开研究与探讨,以此希望能为我国的汽车行业提供参考与借鉴。
简介:提出了一种基于SOP24基板及生产工艺,利用空余的管脚焊盘放置被动元件实现内部互连,制作SiP封装集成电路的封装工艺。选择红外发射电路,使用HT6221红外编码器芯片、电阻、三极管等无源元件,制造出集成了驱动电路的红外发射芯片。建立开发平台对内部器件的布置进行优化,最终制作出工艺简单、性能可靠的SiP封装器件。用一个标准的SOP24封装组件实现了完整的系统功能,面积比系统级封装前减少50%,可靠性大幅度提高,用户使用该芯片开发产品的难度大大降低。
简介:LTCC基板的共烧收缩均匀性受到材料和加工工艺的影响较大,使烧成基板的平面尺寸难以精确控制,成为LTCC基板实现高性能应用的一大障碍,需要重点突破。文章在简要介绍了常见平面零收缩LTCC基板制作工艺技术的基础上,通过精选LTCC生瓷带并设计10层和20层LTCC互连实验基板,提出评价指标,根据自有条件开展了自约束烧结平面零收缩LTCC基板的制作工艺研究,重点突破了层压与共烧工艺,将LTCC基板平面尺寸的烧结收缩率不均匀度由通常的士0.3%-±0.4%减小到小于士0.04%,可以较好地满足高密度高频MCM研制的需要。
简介:摘要本文从《机械制造工艺基础》课程在教学上的现状、面临的问题出发,以增长学生的动手能力为目的,根据教学时真实情况进行探索研究,指出教师在讲授过程中应该如何改进教学方法与培养学生创新思维能力,以突破《机械制造工艺基础》课程中第二章“锻压”的教学难点。
简介:波峰焊接作为一种焊接技术为社会的发展作出了极大的贡献。本文主要就波峰焊基本工艺流程、工艺参数的设置以及常见问题分析三大方面进行了分析与探讨。
简介:文中采用磁控溅射方式在铁氧体基片上制备了微带隔离器的多层膜结构。通过带金属掩模版溅射电阻层,避免了对薄膜电阻的光刻和刻蚀;通过使用铜靶和湿法刻蚀,克服了对溅射用金靶、反应离子刻蚀等工艺技术和设备的依赖。该新型工艺方法简化了镍铬薄膜电阻的制作,降低了薄膜电路的制造成本,可应用于集成电阻的薄膜电路基板的研制。
简介:引言臭氧层被破坏是当今威胁人类生存的全球性环境问题之一,由于人类在工业生产中大量使用消耗臭氧层物质(ODS),从而导致臭氧层受损,地球受到的太阳紫外线辐射增强,使得人体免疫力下降、农作物减产.
简介:光刻胶剖面形貌和关键尺寸(CD)是光刻工艺的关键参数,而实际光刻工艺中受到前层次图形的影响,尤其是后端布线工艺受到前面工序高低台阶影响十分严重。文章基于光学干涉原理及King的胶厚理论模型和光刻胶SwingCurve曲线研究了光刻胶跨越高台阶对成像的影响,分析了造成光刻胶剖面和关键尺寸变化的主要原因。一是台阶处衬底的反射影响了光刻胶剖面形貌;二是高台阶处光刻胶厚度比正常厚度变薄导致光刻曝光条件不适用于高台阶处光刻胶。最后通过优化胶厚及增加底部抗反射层有效解决CD差异和改善光刻胶形貌。
简介:摘要半导体技术是现代重要的一项技术,在包括手机、电脑等重要的设备制作中,都离不开半导体技术来发挥作用。针对半导体技术的应用,需要做好工艺测试,才能够确保技术的效果发挥。本文将结合现阶段半导体工艺测试设备的实际应用情况,展开系统性分析。
简介:为了增加在有机基板上倒装芯片安装的可靠性,在芯片安装后,通常都要进行下填充。下填充的目的是为了重新分配由于硅芯片和有机衬底间热膨胀系数失配产生的热应力。然而,仅仅依靠填充树脂毛细管流动的传统下填充工艺存在一些缺点。为了克服这些缺点,人们研究出了一些新的材料和开发出了一些新的工艺。
简介:针对军工企业工艺信息系统的特殊要求,提出了面向外协的工艺信息管理系统,构建了该系统的框架,定义了扩散工艺核心模型以及标准化的工艺卡片模型,并研究了工艺卡片模板的定制技术和生成技术,能够辅助完成整个外协件的工艺管理。
简介:本文介绍电子元件的清洗工艺与非耗臭氧清洗材料的选择,以便达到保护臭氧层的目的.
简介:文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式,其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中,需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响,一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的,要制作低阻值多晶电阻,需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式,进行低阻值的多晶硅薄膜制作,并通过实验,证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。
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倒装芯片下填充工艺的新进展(二)
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电子元件的清洗工艺与清洗剂
厚多晶硅膜饱和掺杂工艺研究