简介：文章主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO—TFT器件，并通过XRD和透射光谱来对样品的性质进行分析比较，得出采用溅射法制备的ZnO-TFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异，其有较好的c-axis（002）方向择优取向，器件的平均透过率在85％以上。并研究了退后处理对器件性能的影响，并发现快速热退火有利于薄膜的晶化，降低缺陷态密度。

简介：<正>英飞凌科技股份公司推出全新的650VCoolMOSTMC6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效率。CoolMOSTMC6/E6是来自英飞凌的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET。全新的650VCoolMOSTMC6/E6器件具备快速、可控的开关性能,适用于效率和功率密度是关键要求的应用。650VCoolMOSTMC6/E6器件易于应用,是各种高能效开关产品的理想之选,例如笔记本电脑适配器、太阳能逆变器和其他需要额外击穿电压裕量的开关电源（SMPS）产品。相对于CoolMOSTMC3650V系列,全新650VCoolMOSTMC6/E6器件输出电容（Eoss）的储电量降幅高达20%,而C6/E6器件经过改进的体二极管具备更高的硬换相耐受性,并可使反向恢复电荷降低约25%。得益于调谐栅极电阻的平衡设计,C6/E6器件的开关行为能够避免过高的电压和电流变化率。邹勉摘编

简介：<正>飞思卡尔半导体日前推出了两款全新的Airfast射频功率解决方案,覆盖了所有主要的蜂窝基础设施频段,这两款解决方案均采用小巧的封装,却具有业界领先的增益性能。AFT27S006N的峰值功率为6W,是继广受欢迎的MW6S004N产品(MW6S004N产品已经成为业界的主力驱动器,广泛应用于世

简介：日前，VishayIntertechnology，Inc．宣布，推出37颗用于汽车的新款高压晶闸管和二极管。这些VishaySemiconductors公司的器件通过AEC—Q101认证，重复性电压从600V到1600V，电流范围宽，有3种封装可供选择。

简介：<正>日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向智能手机等便携设备开发出业界顶级的低VF小型肖特基势垒二极管"RBE系列"。本产品已经以月产500万个的规模开始量产,随着客户采用的增加,从2012年9月份开始将产能扩充为每月1000万个。此次,产品阵容中新增了更加小型的VML2封装(1.0×0.6mm)。通过这些

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简介：英特尔（Intel）宣布将在2017年底之前启动全新22纳米鳍式场效晶体管（FinFET）制程22FFL，相关开发套件（PDK）在接下来几个月也将陆续到位，市场上认为22FFL的推出，显然是针对GlobalFoundries等业者以绝缘上覆硅（FD-SOI）为移动装置及物联网（10T）应用所生产之同类芯片而来。据EETimesAsia报导，英特尔称自家22FFL是市场上首款为低功耗loT应用及移动装置产品而开发出来的FinFET技术，能打造出高效能及低功耗的晶体管，

简介：<正>据物理学家组织网6月15日报道,最近,美国斯坦福和南加州大学工程师开发出一种设计碳纳米管线路的新方法,首次能生产出一种以碳纳米管为基础的全晶片数字电路,即使在许多纳米管发生扭曲偏向的情况下,整个线路仍能工作。

简介：<正>近日,日亚化学工业股份有限公司宣布将会把应用于汽车显示器(HUD)的蓝色(B)和绿色(G)半导体激光二极管产品商业化。日亚化表示,虽然目前各种半导体激光二极管已实现商业化,但这将是市面上第一个车用的蓝色和绿色产品。公司计划从2014年10月开始出样品,并在2015年10月进行量产。据日亚化介绍,和使用LED相比,通过使用红色、绿色和蓝色半导体激光二极管,

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简介：<正>恩智浦半导体(NXPSemiconductorsN.V)近日推出首款采用1.1-mm×1-mm×0.37-mm超薄DFN(分立式扁平无引脚)封装的晶体管。全新产品组合由25种器件组成,其中包括低RDsonMOSFET以及可将电流能力最高提升至3.2A的低饱和通用晶体管。该全新产品系列凭借其超小外形和高性能,非常

简介：在本文中，我们提出了一个稳定的单光子探测方法基于硅雪崩光电二极管（硅雪崩二极管）在盖革模式具有较大的温度变化范围内操作。通过精确的温度传感和直流（DC）电压补偿，单光子探测器可以稳定工作在盖革模式from-40°C至35C°具有几乎恒定的雪崩增益。它为单光子探测在全天候条件下的户外作业提供了一种解决方案。

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简介：<正>OFweek光电新闻网和OFweek电子工程网在深圳联合主办了2013电子行业年度评选活动,英飞凌科技公司产品40VOptiMOSTMT2功率晶体管荣获了技术创新奖。英飞凌科技(中国)有限公司汽车电子事业部市场总监杜曦先生出席了颁奖仪式并代表英飞凌领取了该奖。

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简介：2007年1月29日，英特尔公司宣布在基础晶体管设计方面取得了一个最重大的突破，采用两种完全不同以往的晶体管材料来构建45nm晶体管的绝缘“墙”和切换“门”。在下一代英特尔。酷睿TM2双核、英特尔一酷睿TM2四核以及英特尔。至强。系列多核处理器中，将置人数以亿计的这种微观晶体管或开关。英特尔公司同期宣布已有5种早期版本的产品正在运行，这是公司计划中的15款45nm处理器产品的第一批。

简介：意法半导体推出最新的MDmeshDk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压（VHV）超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关（ZVS）LLC谐振转换器。