简介：研制了一种以玻璃粉作为粘结相的低温烧结型银基浆料，并应用于集成电路半导体芯片贴装工艺。重点考察了半导体芯片与氧化铝陶瓷基座组装后的附着力，以研究浆料中银粉、玻璃粉和有机载体的含量以及芯片的净化处理工艺、烧结工艺对组装件剪切力和温度循环后剪切力的影响。结果表明：采用有机溶剂和皂化除油，银粉和玻璃粉质量比为7：3，有机载体和固体相质量比为1：9，在430℃烧结，保温时间在20～25min时，能获得最大剪切力。

简介：采用浓HNO3/浓H2SO4混合酸在60℃超声环境下对T300碳纤维进行表面氧化处理，并以其为增强体制备碳纤维/环氧树脂复合材料。利用X射线光电子能谱仪、拉曼光谱仪、扫描电镜、原子力显微镜对表面氧化前后的碳纤维形态与表面化学性质进行表征，研究氧化时间对纤维的表面形貌与表面性质以及碳纤维/环氧树脂基复合材料力学性能的影响。结果表明，氧化初期，碳纤维表面生成S—、N—含氧基团，以及—OH和—C=O；后期形成—COOH，氧化时间为15min时，—COOH的浓度达到最大值。碳纤维/环氧树脂复合材料的强度随混合酸氧化时间延长而不断增强，氧化15min时强度达到峰值，相比于未氧化处理的样品，复合材料层剪切强度从16.3MPa提高到38.8MPa，抗弯强度从148.3MPa提高到379.7MPa。

简介：以雾化Fe85Si2Al6Cr7粉和溶胶凝胶法制备的W型六角晶系Ba1Co0.9Zn1.1Fe16O27铁氧体粉末为原料,通过高能球磨复合改性得到FeSiAlCr合金/W型六角晶系Ba铁氧体复合粉体。采用X射线衍射仪（XRD）和扫描电镜（SEM）对该粉体的微结构和形貌进行分析和观察,利用微波矢量网络分析仪系统测定粉体试样在2~18GHz频段内的复介电常数和复磁导率以及吸波涂层试样板的吸波性能,研究该复合粉体的微波电磁特性和电磁损耗性能。结果表明,FeSiAlCr合金/W型六角晶系Ba铁氧体复合粉体颗粒保持W型铁氧体的六角片状晶粒形貌和微结构;其ε′、ε″、μ′和μ″均高于W型铁氧体而低于Fe合金的对应值;FeSiAlCr合金含量与复合材料的磁损耗和介电损耗的相对强弱密切相关,Fe合金含量适中的复合材料,其吸波涂层厚度为2mm时,在2~18GHz全频段的吸波性能高于20dB,峰值点达50dB。

简介：以Nb2O5、In（NO3）3和Sm（NO3）3为原料,采用溶胶-凝胶法制备新型光催化材料Sm2InNbO7。采用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、比表面积分析（BET）以及紫外-可见漫反射光谱（UV-Visdiffusereflectancespectroscopy）技术对该材料的结构、形貌和光吸收性能进行表征。以可见光下亚甲基蓝（MB）的脱色降解为模型反应,考察煅烧温度、催化剂用量、H2O2用量和pH值对Sm2InNbO7光催化性能的影响。结果表明,煅烧温度为700℃时即可获得具有烧绿石结构的Sm2InNbO7。随焙烧温度升高,催化剂结晶度增加,粒径增大,比表面积下降,吸收边界出现一定的蓝移;在850℃下煅烧3h获得的Sm2InNbO7样品具有最高的催化活性,当50mL质量浓度的10mg/L的MB溶液中催化剂用量为0.1g、30%H2O2溶液用量为0.5mL、pH=6时,亚甲基蓝的降解率高达93.8%,明显优于固相法制备的Sm2InNbO7以及P-25TiO2。较高的pH值有利于光催化反应的进行。

简介：采用水热法制备平均粒度约300nin的六方相Bi2Te3纳米粉末。再以Bi2Te3粉末为原料，采用封管熔炼法制备N型（Bi2Te3）0.9（AgxBi2-xSe3）0.1（x为Ag的摩尔分数。x=0.1，0.2，0.3，0.4）合金粉体材料，通过快速热压制备N型（Bi2Te3）0.9（AgxBi2-xSe3）0.1块状热电材料。在300~550K温度范围内研究该材料的热电性能与Ag掺杂量之间的关系，以及热压工艺对材料热电性能的影响。结果表明在775K，40MPa条件下烧结20min后材料的相对密度达到97％以上，晶粒大小在3gm左右。当Ag掺杂量x=0.2时，在300K温度下热导率达到最小值0.71W／mK，同时获得最高的热电优值（ZT值）1.07。

简介：用溶胶-凝胶法制备镍锌共掺杂Z型锶钴铁氧体Sr3（NiZn）xCo2（1-x）Fe24O41（x=0～0.5）粉末。用X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）表征该铁氧体粉末的晶体结构和表面形貌，并测试其室温磁滞回线和室温电阻率。用微波矢量网络分析仪测定该粉末在2～18GHz微波频率范围的复介电常数和复磁导率，根据测量数据计算电磁损耗角正切及微波反射率，分析该材料的微波吸收性能与电磁损耗机理。结果表明：Sr3（NiZn）xCo2（1-x）Fe24O41粉末呈六角片状形貌，晶体结构为Z型，具有良好的软磁特性；x=0.3时该材料的电阻率最低，微波吸收效果最好，在13.5GHz频率的吸收峰为25.1dB，10dB频带宽度为7.7GHz，兼具强的磁损耗和弱的介电损耗。