简介：Amathematicalmodelforthethree-dimensionalsimulationoffreedendriticgrowthandmicrostructureevolutionwasdevelopedbasedonthegrowthmechanismofcrystalgrainsandbasictransferequationssuchasheat,massandmomentumtransferequations.Manyfactorsincludingconstitutionalundercooling,curvatureundercoolingandanisotropy,whichhadvitalinfluencesonthemicrostructureevolution,wereconsideredinthemodel.SimulatedresultsshowedthatfinalmicrostructuralpatternsandfreedendriticgrowthcouldbepredictedreasonablyandcalculatedresultswerecoincidentwithexperimentalThesimulatedresultsoffreedendriticgrowthindicatedthatthestrengthofanisotropyhassignificanteffectsonfreedendriticgrowth,dendriteprofile,microsoluteandtemperaturedistribution.Thedendriticgrainprofileswithfully-grownparallelsecondaryarmtendtobeformedattheintensiveanisotropy,whilenearoctahedralgrainprofileswithsmallprotuberancesofsurfaceatlowstrengthofanisotropy.Thesimulatedresultsoffreedendriticgrowthalsoindicatedthattherearesmallmoltenpoolsleftininterdendriticareas.Thisishelpfultounderstandthefundamentaloftheformationofmicrostructurerelateddefectssuchasmicrosegregationandmicroporosity.

简介：Thevolatilizationkineticsofantimonytrisulfideinsteamatmospherewasstudiedwiththermogravimetryattemperaturesfrom923to1123K.Atheoreticalmodelwasdevelopedtocalculatetheoverallrateconstantandthemasstransfercoefficientingasphases.Theexperimentalresultsshowthatthevolatilizationrateisenhancedwithincreasingtemperatureandsteamflowrate.Thevolatilizationrateismainlycontrolledbythemasstransportingasphases.Theapparentactivationenergyfortheprocessisfoundtobe59.93kJ/mol.ItisdemonstratedthatSb2S3isdominantlyoxidizedintoSb2O3andH2Sbywatervaporinthevolatilizationprocess.Someantimonymetalisformed.Thereactionmechanismisdiscussedinaccordancewithexperimentaldata.

简介：Throughmeasuringthecoefficientoflinearexpansion,thestructureandpropertiesoftheLi2O-Al2O3-SiO2lowexpansionglassceramicscontainingB2O3arestudiedbyJRandXRD.ItisshoutnthattheIRmethodisefficientinthestudyoftheglass-ceramicsstructure.Thereisa"Boronabnormality"inthesystemwhichhasanimportantinfluenceonthepropertiesoftheglass-ceramics.

简介：对数码相机来说．500万像素已经是今天最起码的要求了．而照相手机也不甘落后。夏普第一个在其90GSH手机上加入了300万像素照相头．而现在．诺基亚N80也披挂上阵了．手机拍下的300万像素数码照片非常不错．将它打印成7×5英寸照片时，再也不会像200万像素照片那样出现质量损失了。除了照相之外，N80还能够通过3G网络和Wi-Fi高速上网，内置了MP3播放器和蓝牙，而且支持GSM四频网络，在世界几乎任何地方都能正常工作，惟一要抱怨的就是它的身材有些太敦实了。

简介：用溶胶-凝胶法制备了系列掺杂（La0.8Ln0.2）2/3Ca1/3MnO3（Ln=La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu）纳米级晶体。对比在La被其它镧系元素部分替代后，引起的A位离子平均半径的改变和磁矩变化对电输运及磁阻性能的影响，实验分析表明，各个样品在同样大小磁场下的磁电阻存在较大的差别，样品的磁电阻随原子序数的增加而明显变大，由镧系收缩引起晶格畸变所产生的本征磁电阻占主导地位，随着外加磁场的增加，不同掺杂样品间的峰值电阻差异被弱化；各掺杂样品间的转变温度差与掺杂离子半径差和磁矩差密切相关，且离子半径的差异对转变温度的改变贡献更大。

简介：Eu(TTA)4CsHsNC16H33(TTA:1-(2-Thenoy)-3,3,3-Trifluoracetate)isencapsulatedinSi-MCM41modifiedwithN-(3-Trimethoxysilethyl)ethylenediamine.Theemissionspectrumoftheassemblyshowsonlya5D0→7F2transition.Ascomparedwiththerareearthcomplexitself,thelifetimeoftheassemblybecomeslongeranditsstabilityundertheUVradiationismuchbetter.

简介：近日，美国能源部阿贡国家实验室、西北大学和纽约州立大学石溪分校的科学家首次创造出了具有单层平面原子结构的二维的硼——“硼墨烯”（Borphene），这是际石墨烯之后又加入“烯”字家庭的新成员。近期出版的《科学》杂志收录了相关研究。

简介：结果证明Mg在空间在钢的张力的性质和坚硬上有更少的效果温度，而是Mg的正确数量改进影响和破裂坚韧并且减少破裂转变温度更加由于包括修正，象一样通过加强谷物边界并且修改边界碳化物戏剧性地延长槽口压力破裂生活。有一个最佳Mg内容，它在试验性的35CrNi3MoV钢是大约0.0030%。(编辑作者摘要)8个裁判员。

简介：在许多工业领域，数字过程链中的一致性和复制性是高附加值的关键。便携式3D测量系统，包括光学cMM扫描仪、METRASCAN3D坐标测量仪（CMM）HANDYPROBE以及C-TRACK跟踪器，是专为工程师设计，以满足他们对测量精度和灵活性的需求。这种设计想法是一种组件完全匹配并平衡的概念，即使在一些不稳定的条件下，它也可以随时进行操作。

简介：简要介绍了WO3粉体在电致变色、气敏性、光催化、光致变色等方面所表现出来的优异性能及其应用，并综述了WO3粉体的主要制备方法，包括固相法、气液法和液相法，总结了目前WO3粉体制备方法的发展现状、特点及不足。同时，分析了掺杂对WO3粉体性能的影响，并展望了未来的研究方向。

简介：对CO2/NH3复叠制冷系统进行分析的同时，并与NH3/NH3双级压缩进行对比，阐述CO2/NH3复叠系统在-35～55℃低温领域具有的优势，该系统具有良好的应用前景。

简介：Howtocontrolmeltcompositionisthekeyforgettinghighqualityalloymelt.Thepapermadethefollowingefforts:(1)TheactivitycoefficientsinTi-15-3melthavebeencalculated.(2)Takingadvantageoftheactivitycoefficients,theevaporationlossesofcomponentsinTi-15-3meltduringISMprocesshavebeenstudied.Thecalculatedresultsshowthatthereisacriticalvacuumdegree(about1.33Pa)duringmeltingprocess.

简介：采用反应射频磁控溅射方法，在玻璃基底上成功制备出了氮化铜（Cu3N）薄膜，并研究了溅射参数对Cu3N薄膜的结构和性能的影响，结果显示，随着溅射功率和氮气分压的增加，氮化铜薄膜的择优取向由（111）方向向（100）方向改变。随着基底温度从70℃增加到200℃，薄膜从Cu3N相变为cu相。紫外可见光谱、四探针电阻仪等测试表明，当溅射功率从80W逐渐增加到120W时，薄膜的光学能隙从1．85eV减小到1．41eV，电阻率从1．45×10^2Ω·cm增加到2．99×10^3Ω·cm。

简介：Si3N4/TiCnanocompositeceramicshavebeenfabricatedbyhotpressingtechniquewithAl2O3andY2O3asadditives.TheresultsshowedthatwelldispersedcompositepowderwascarriedoutbyaddingdispersantandadjustingpHvaluesofsuspensions.RemarkableincreaseinflexuralstrengthatroomtemperatureswasobtainedbyaddingnanoparticlesinSi3N4matrixwith10%(wtpct)ofnano-Si3N4and15%ofnano-TiC.Theflexuralstrength,fracturetoughnessandhardnesswere1025MPa,7.5MPa·1/2and15.6GPa,respectively.Themicrostructuresofmaterialswereanalyzedbyscanningelectronmicroscopy(SEM)andtransmissionelectronmicroscopy(TEM),whichindicatedthatTiCnanoparticlesdistributeinthematrixandatthegrainboundaries.Accordingtothefractureform,lowcontentsofnanoparticlescouldrefinematrixgrainsandleadtothecrackdeflectionaswellascrackpinning.Themultiplexmicrostructurewasformedbymixingnano-Si3N4particles.Thecracktrajectoriesexhibitedcrackdeflection,rod-likegrainbridgingandpull-out.

简介：据报道，英国《自然》杂志发表的一项材料科学研究报告称，德国科学家使用标准3D打印技术，制造出了超复杂、高精细且高质量的玻璃形状，如微小的扭结状脆饼干或城堡。这意味着，现在利用3D打印技术已可以制作具有较高光学性能的结构，可大量适用于设计复杂的透镜和过滤器。

简介：介绍了Fe3Si的一些基本特性及Fe3Si薄膜的几种主要制备方法,重点介绍了分子束外延法中不同类型衬底、温度对Fe3Si薄膜形成的影响,并且分析了各种制备方法中的一些重要参数对薄膜结构及性质的影响。随着Fe3Si薄膜制备工艺的不断完善,Fe3Si薄膜将会成为一种性能优秀的自旋电子器件。

简介：2015年春节过后，我国3D打印产业迎来2个重大利好消息。首先，工业和信息化部、国家发展和改革委员会委、财政部3部委于2月28日联合印发布《国家增材制造产业发展推进计划（2015-2016年）》，首份国家级计划的推出标志着我国3D打印产业发展步入快车道。其次，李克强总理在“两会”政府工作报告中提出了制定“互联网＋”行动计划、推动“大众创业、万众创新”、实施“中国制造2025”等一系列发展经济的新思路。

简介：以前曾指出由3，3’，4，4’-联苯基四羧酸二酐(BPDA)和1，2-双(4-氨基苯氧基)苯(亦称三苯基醚邻苯二酚二胺(TPEC))衍生的聚酰亚胺具有优异的拉伸性能和良好的热性能。本文对由BPDA、TPEC及其它芳香族二胺制备的共聚酰亚胺的性能做了初步评价。由BPDA和各种芳香族二胺制备的均聚酰亚胺通常具有良好的机械性能和热性能。然而，它们不溶于现有的各种有机溶剂中。在某些条件下，用BPDA与等摩尔TPEC和其它芳香族二胺混合物可以制备可有机溶解的BPDA型共聚酰亚胺。这些共聚酰亚胺可以形成坚韧的薄膜，它们具有较高的模量和强度。多数情况下，也具有较高的断裂伸长率。

简介：Er^3+-dopedSrBi4Ti4O15-Bi4Ti3O12(SBT-BIT-xEr^3+,x=0.00,0.05,0.10,0.15and0.20)inter-growthceramicsweresynthesizedbythesolid-statereactionmethod.Structural,electricalandup-conversionpropertiesofSBT-BIT-xEr^3+wereinvestigated.Allsamplesshowedasinglephaseoftheorthorhombicstructure.RamanspectroscopyindicatedthattheEr^3+substitutionforBi^3+atAsitesofthepseudo-perovskitelayerincreasesthelatticedistortionofSBT-BIT-xEr^3+ceramics.ThesubstitutionofBi^3+byEr^3+leadstoadecreaseofdielectriclosstanδandanincreaseofconductivityactivationenergy.Piezoelectricconstantd33wasslightlyimproved,butdielectricconstantwasdecreasedwiththeEr^3+doping.TheSBT-BIT-xEr^3+ceramicwithx=0.15exhibitstheoptimizedelectricalbehavior(d33~17pC/N,tanδ~0.83%).Moreover,twobrightgreen(532and548nm)andonered(670nm)emissionbandswereobservedunderthe980nmexcitation.Optimizedemissionintensitywasalsoobtainedwhenx=0.15fortheSBT-BIT-xEr^3+ceramic.Therefore,thiskindofceramicsoughttobepromisingcandidatesformultifunctionaloptoelectronicapplications.

简介：